产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC011N03LSI
仓库库存编号:
BSC011N03LSICT-ND
别名:BSC011N03LSICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD50N03S2L06T
仓库库存编号:
SPD50N03S2L06XTINCT-ND
别名:SPD50N03S2L06XTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 17.5A(Tc) 151W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R190CFD
仓库库存编号:
IPB65R190CFDCT-ND
别名:IPB65R190CFDCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 39W(Tc) TO-220FP
型号:
NDF10N60ZH
仓库库存编号:
NDF10N60ZHOS-ND
别名:NDF10N60ZH-ND
NDF10N60ZHOS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP072N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP072N10N3GXKSA1-ND
别名:IPP072N10N3 G
IPP072N10N3 G-ND
IPP072N10N3G
SP000680830
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 700V 7.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 7.5A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
STP9NK70ZFP
仓库库存编号:
497-12623-5-ND
别名:497-12623-5
STP9NK70ZFP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 700V 7.5A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 7.5A(Tc) 156W(Tc) TO-247-3
型号:
STW9NK70Z
仓库库存编号:
497-5899-5-ND
别名:497-5899-5
STW9NK70Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 850V 30A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 695W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH30N85X
仓库库存编号:
IXFH30N85X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 850V 30A TO268-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 695W(Tc) TO-268(IXFT)
型号:
IXFT30N85XHV
仓库库存编号:
IXFT30N85XHV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 30A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),70A(Tc) 2.5W(Ta),65W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS8560S
仓库库存编号:
FDMS8560SCT-ND
别名:FDMS8560SCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 10A SOP8
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 650mW(Ta) 8-SOP
型号:
RRH100P03GZETB
仓库库存编号:
RRH100P03GZETBCT-ND
别名:RRH100P03GZETBCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
STB11NK50ZT4
仓库库存编号:
497-2451-1-ND
别名:497-2451-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 650V 12A POWERPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 130W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SIHH11N65E-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHH11N65E-T1-GE3CT-ND
别名:SIHH11N65E-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IRF40R207
仓库库存编号:
IRF40R207CT-ND
别名:IRF40R207CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 10A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STP11NK50ZFP
仓库库存编号:
497-5973-5-ND
别名:497-5973-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD068N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD068N10N3GATMA1CT-ND
别名:IPD068N10N3GATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 39W(Tc) TO-220FP
型号:
NDF10N60ZG
仓库库存编号:
NDF10N60ZGOS-ND
别名:NDF10N60ZG-ND
NDF10N60ZGOS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 17.5A(Tc) 151W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R190CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPP65R190CFDXKSA1-ND
别名:IPP65R190CFD
IPP65R190CFD-ND
SP000881160
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7634BDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7634BDP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7634BDP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 700V 7.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7.5A(Tc) 115W(Tc) TO-220AB
型号:
STP9NK70Z
仓库库存编号:
497-12622-5-ND
别名:497-12622-5
STP9NK70Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
STP11NK50Z
仓库库存编号:
497-12604-5-ND
别名:497-12604-5
STP11NK50Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 3.8W(Ta),52.1W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS439DNT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS439DNT-T1-GE3CT-ND
别名:SIS439DNT-T1-GE3CT
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 7A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Ta),37A(Tc) 2.1W(Ta),60W(Tc) TO-251A
型号:
AOI442
仓库库存编号:
AOI442-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7634BDP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7634BDP-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 85A(Tc) 238W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y12-100EX
仓库库存编号:
1727-1483-1-ND
别名:1727-1483-1
568-10963-1
568-10963-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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