产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 16A(Tc) 7.1W(Tc) 8-SO
型号:
SQ4470EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4470EY-T1_GE3-ND
别名:SQ4470EY-T1-GE3
SQ4470EY-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24.5A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SO
型号:
SI4634DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4634DY-T1-GE3TR-ND
别名:SI4634DY-T1-GE3TR
SI4634DYT1GE3
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24.5A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SO
型号:
SI4634DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4634DY-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 18A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF18N65L
仓库库存编号:
AOTF18N65L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 18A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF18N65
仓库库存编号:
785-1431-5-ND
别名:785-1431-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF644STRLPBF
仓库库存编号:
IRF644STRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF644STRRPBF
仓库库存编号:
IRF644STRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 18A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 417W(Tc) TO-247
型号:
AOK18N65L
仓库库存编号:
785-1589-5-ND
别名:785-1456-5
785-1456-5-ND
785-1589-5
AOK18N65
AOK18N65L-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 250W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG16N50C-E3
仓库库存编号:
SIHG16N50C-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP16N50C-E3
仓库库存编号:
SIHP16N50C-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 250W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SIHB16N50C-E3
仓库库存编号:
SIHB16N50C-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 38W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF16N50C-E3
仓库库存编号:
SIHF16N50C-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50N03S207ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N03S207ATMA1TR-ND
别名:IPD50N03S2-07
IPD50N03S2-07-ND
SP000254462
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 90A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90N10S406ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N10S406ATMA1-ND
别名:SP001101896
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 90A(Tc) 144W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90N08S405ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N08S405ATMA1-ND
别名:SP000984282
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI072N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI072N10N3GXKSA1-ND
别名:IPI072N10N3 G
IPI072N10N3 G-ND
IPI072N10N3G
SP000469900
SP000680674
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 16.6A(Tc) 151W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R210CFDAUMA1
仓库库存编号:
IPL65R210CFDAUMA1-ND
别名:SP000949256
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 17.5A(Tc) 151W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI65R190CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPI65R190CFDXKSA1-ND
别名:IPI65R190CFD
IPI65R190CFD-ND
SP000905386
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 11A(Tc) 156W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90R500C3XKSA1
仓库库存编号:
IPI90R500C3XKSA1-ND
别名:IPI90R500C3
IPI90R500C3-ND
SP000413728
SP000683084
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 17.5A(Tc) 151W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R190CFDAATMA1
仓库库存编号:
IPB65R190CFDAATMA1-ND
别名:SP000928264
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 17.5A(Tc) 151W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R190CFDAAKSA1
仓库库存编号:
IPP65R190CFDAAKSA1-ND
别名:SP000928266
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 136A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB060N15N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB060N15N5ATMA1-ND
别名:SP001607814
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 17.5A(Tc) 151W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R190CFDAFKSA1
仓库库存编号:
IPW65R190CFDAFKSA1-ND
别名:SP000928268
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 35A(Tc) 162W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R060C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R060C7ATMA1-ND
别名:SP001385008
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R060C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R060C7XKSA1-ND
别名:SP001385002
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 68nC @ 10V,
无铅
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