产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4310PBF
仓库库存编号:
IRFB4310PBF-ND
别名:*IRFB4310PBF
SP001566592
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP015N04NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP015N04NGXKSA1-ND
别名:IPP015N04N G
IPP015N04N G-ND
IPP015N04NG
SP000680760
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 130A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4310TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4310TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4310TRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB015N04N G
仓库库存编号:
IPB015N04N GCT-ND
别名:IPB015N04N GCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1407PBF
仓库库存编号:
IRF1407PBF-ND
别名:*IRF1407PBF
SP001564238
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB011N04NGATMA1
仓库库存编号:
IPB011N04NGATMA1CT-ND
别名:IPB011N04NGATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1407STRLPBF
仓库库存编号:
IRF1407STRLPBFCT-ND
别名:IRF1407STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 180A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180P04P403ATMA1
仓库库存编号:
IPB180P04P403ATMA1-ND
别名:SP000840202
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-262
型号:
AUIRFSL4310
仓库库存编号:
AUIRFSL4310-ND
别名:Q10661606
SP001516116
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS4310TRL
仓库库存编号:
AUIRFS4310TRL-ND
别名:SP001517534
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 100A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRF1407L
仓库库存编号:
IRF1407L-ND
别名:*IRF1407L
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 100A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1407S
仓库库存编号:
IRF1407S-ND
别名:*IRF1407S
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 100A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1407STRR
仓库库存编号:
IRF1407STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 130A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 130A(Tc) 300W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4310PBF
仓库库存编号:
IRFSL4310PBF-ND
别名:AUXCLFSL4310
AUXCLFSL4310-ND
SP001550204
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 130A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4310GPBF
仓库库存编号:
IRFB4310GPBF-ND
别名:SP001564018
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS4310
仓库库存编号:
AUIRFS4310-ND
别名:SP001522392
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
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