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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 24A SUPER-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 340W（Tc） SUPER-220?（TO-273AA）
  
  型号：IRFBA22N50APBF
  仓库库存编号：IRFBA22N50APBF-ND
  别名：*IRFBA22N50APBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
  
  型号：SIE830DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE830DF-T1-E3CT-ND
  别名：SIE830DF-T1-E3CT
  SIE830DFT1E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 85A 8ULTRASO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta），70A（Tc） 2.1W（Ta），36W（Tc） UltraSO-8?
  
  型号：AOL1412
  仓库库存编号：785-1119-1-ND
  别名：785-1119-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 110A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM120-0075X1-SL
  仓库库存编号：GWM120-0075X1-SL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 110A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM120-0075X1-SLSAM
  仓库库存编号：GWM120-0075X1-SLSAM-ND
  别名：GWM120-0075X1-SL SAM
  GWM120-0075X1-SL SAM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 110A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM120-0075X1-SMD
  仓库库存编号：GWM120-0075X1-SMD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 110A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM120-0075X1-SMDSAM
  仓库库存编号：GWM120-0075X1-SMDSAM-ND
  别名：GWM120-0075X1-SMD SAM
  GWM120-0075X1-SMD SAM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 280V 80A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ80N28T
  仓库库存编号：IXTQ80N28T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 90A（Tc） 3.75W（Ta），272W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM90N08-6M2P-E3
  仓库库存编号：SUM90N08-6M2P-E3CT-ND
  别名：SUM90N08-6M2P-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 29A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 29A（Tc） 3W（Ta），6.6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4362BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4362BDY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 29A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 29A（Tc） 3W（Ta），6.6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4362BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4362BDY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
  
  型号：SIE830DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE830DF-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 90A（Tc） 3.75W（Ta），272W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP90N08-6M8P-E3
  仓库库存编号：SUP90N08-6M8P-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 85A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 85A（Ta） 1.75W（Ta），75W（Tc） TO-220（LS）
  
  型号：BXL4001
  仓库库存编号：BXL4001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 20A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 20A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），333W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB262L
  仓库库存编号：785-1326-2-ND
  别名：785-1326-2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 75V 10A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 10A（Ta），140A（Tc） 1.9W（Ta），417W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT472
  仓库库存编号：AOT472-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 75V 53A TO220FL
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 10A（Ta），53A（Tc） 1.9W（Ta），57.5W（Tc） TO-220FL
  
  型号：AOTF472
  仓库库存编号：AOTF472-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
  
  型号：JAN2N6766
  仓库库存编号：JAN2N6766-ND
  别名：JAN2N6766-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JAN2N6766T1
  仓库库存编号：JAN2N6766T1-ND
  别名：JAN2N6766T1-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 27.4A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JAN2N7225
  仓库库存编号：JAN2N7225-ND
  别名：JAN2N7225-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-267AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 27.4A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
  
  型号：JAN2N7225U
  仓库库存编号：JAN2N7225U-ND
  别名：JAN2N7225U-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
  
  型号：JANTX2N6766
  仓库库存编号：JANTX2N6766-ND
  别名：JANTX2N6766-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JANTX2N6766T1
  仓库库存编号：JANTX2N6766T1-ND
  别名：JANTX2N6766T1-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 27.4A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JANTX2N7225
  仓库库存编号：JANTX2N7225-ND
  别名：JANTX2N7225-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 27.4A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
  
  型号：JANTX2N7225U
  仓库库存编号：JANTX2N7225U-ND
  别名：JANTX2N7225U-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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