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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
  
  型号：JANTXV2N6766
  仓库库存编号：JANTXV2N6766-ND
  别名：JANTXV2N6766-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JANTXV2N6766T1
  仓库库存编号：JANTXV2N6766T1-ND
  别名：JANTXV2N6766T1-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 27.4A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JANTXV2N7225
  仓库库存编号：JANTXV2N7225-ND
  别名：JANTXV2N7225-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 27.4A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
  
  型号：JANTXV2N7225U
  仓库库存编号：JANTXV2N7225U-ND
  别名：JANTXV2N7225U-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 27.4A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：2N7225
  仓库库存编号：2N7225-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V SMD1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 27.4A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
  
  型号：2N7225U
  仓库库存编号：2N7225U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
  
  型号：2N6766
  仓库库存编号：2N6766-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：2N6766T1
  仓库库存编号：2N6766T1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 9.2A（Ta），53A（Tc） 3.1W（Ta），104.2W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP53P06-20-GE3
  仓库库存编号：SUP53P06-20-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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