产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 748nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 60A 1250W Chassis Mount SP6
型号:
APTM120DU15G
仓库库存编号:
APTM120DU15G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 748nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 60A 1250W Chassis Mount SP6
型号:
APTM120A15FG
仓库库存编号:
APTM120A15FG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 748nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 60A(Tc) 1250W(Tc) SP6
型号:
APTM120DA15G
仓库库存编号:
APTM120DA15G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 748nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 60A(Tc) 1250W(Tc) SP6
型号:
APTM120SK15G
仓库库存编号:
APTM120SK15G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 748nC @ 10V,
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