产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 4.5V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 112A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 179A(Tc) 2.5W(Ta),63W(Tc) DIRECTFET? M4
型号:
AUIRL7736M2TR
仓库库存编号:
AUIRL7736M2TR-ND
别名:SP001521898
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH2520U,115
仓库库存编号:
1727-3050-1-ND
别名:1727-3050-1
568-2176-1
568-2176-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 85A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 85A(Tc) 110W(Tc) TO-262-3
型号:
IRL3402L
仓库库存编号:
IRL3402L-ND
别名:*IRL3402L
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 85A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3402S
仓库库存编号:
IRL3402S-ND
别名:*IRL3402S
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 85A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 85A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3402
仓库库存编号:
IRL3402-ND
别名:*IRL3402
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 85A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3402STRL
仓库库存编号:
IRL3402STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 85A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3402STRR
仓库库存编号:
IRL3402STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 85A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 85A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3402PBF
仓库库存编号:
IRL3402PBF-ND
别名:*IRL3402PBF
SP001558674
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 85A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3402SPBF
仓库库存编号:
IRL3402SPBF-ND
别名:SP001568332
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 85A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3402STRLPBF
仓库库存编号:
IRL3402STRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 26A(Ta),40A(Tc) 2.7W(Ta),37W(Tc) PQFN(3x3)
型号:
IRLHM620TR2PBF
仓库库存编号:
IRLHM620TR2PBFCT-ND
别名:IRLHM620TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 4.5V,
无铅
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