产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),80A(Tc) 310W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB035AN06A0
仓库库存编号:
FDB035AN06A0CT-ND
别名:FDB035AN06A0CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 14.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6673BZ
仓库库存编号:
FDS6673BZCT-ND
别名:FDS6673BZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Ta),80A(Tc) 310W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP038AN06A0
仓库库存编号:
FDP038AN06A0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 39A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 44A(Tc) 330W(Tc) TO-247
型号:
STW48NM60N
仓库库存编号:
497-11367-5-ND
别名:497-11367-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta) 3W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4430
仓库库存编号:
785-1028-1-ND
别名:785-1028-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC020N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC020N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC020N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC020N03MSGINCT
BSC020N03MSGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 204W(Tc) D2PAK
型号:
BUK664R4-55C,118
仓库库存编号:
1727-5525-1-ND
别名:1727-5525-1
568-7004-1
568-7004-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta) 310W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB035AN06A0_F085
仓库库存编号:
FDB035AN06A0_F085CT-ND
别名:FDB035AN06A0_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Ta),80A(Tc) 310W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FDI038AN06A0
仓库库存编号:
FDI038AN06A0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 14.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6673BZ_F085
仓库库存编号:
FDS6673BZ_F085CT-ND
别名:FDS6673BZ_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7610-55AL,118
仓库库存编号:
1727-7164-1-ND
别名:1727-7164-1
568-9648-1
568-9648-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO033N03MSGXUMA1
仓库库存编号:
BSO033N03MSGXUMA1CT-ND
别名:BSO033N03MS GINCT
BSO033N03MS GINCT-ND
BSO033N03MSGXUMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 136W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD100N03-3M4_GE3
仓库库存编号:
SQD100N03-3M4_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 50A(Ta) 90W(Tc) DPAK+
型号:
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TJ50S06M3L(T6L1NQ-ND
别名:TJ50S06M3L(T6L1NQ
TJ50S06M3LT6L1NQ
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PTNG 100V N-CHANNEL POWER TRENCH
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 429W(Tc) 8-HPSOF
型号:
FDBL86062_F085
仓库库存编号:
FDBL86062_F085-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
60V 80A 3.8 OHMS NCH POWER TRENC
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 310W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP038AN06A0_F102
仓库库存编号:
FDP038AN06A0_F102-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 240MA 8HSOF
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 240A(Tc) 214W(Tc) PG-HSOF-8-1
型号:
IPT012N06NATMA1
仓库库存编号:
IPT012N06NATMA1-ND
别名:SP001637074
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP20N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPP20N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000681060
SPP20N60CFD
SPP20N60CFD-ND
SPP20N60CFDIN
SPP20N60CFDIN-ND
SPP20N60CFDX
SPP20N60CFDXK
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20.7A(Tc) 35W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA20N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPA20N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000216361
SPA20N60CFD
SPA20N60CFD-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW20N60CFDFKSA1
仓库库存编号:
SPW20N60CFDFKSA1-ND
别名:SP000014535
SPW20N60CFD
SPW20N60CFD-ND
SPW20N60CFDIN
SPW20N60CFDIN-ND
SPW20N60CFDX
SPW20N60CFDXK
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7510-55AL,127
仓库库存编号:
568-9810-5-ND
别名:568-9810-5
934059076127
BUK7510-55AL,127-ND
BUK751055AL127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 280W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP460NPBF
仓库库存编号:
IRFP460NPBF-ND
别名:*IRFP460NPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 550V 44A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 550V 44A(Tc) 463W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT5510JFLL
仓库库存编号:
APT5510JFLL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP06CN10LGXKSA1
仓库库存编号:
IPP06CN10LGXKSA1-ND
别名:IPP06CN10L G
IPP06CN10L G-ND
SP000308789
SP000680820
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI20N60CFDHKSA1
仓库库存编号:
SPI20N60CFDHKSA1-ND
别名:SP000229995
SP000681008
SPI20N60CFD
SPI20N60CFD-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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