产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC020N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC020N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC020N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC020N03MSGINCT
BSC020N03MSGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO033N03MSGXUMA1
仓库库存编号:
BSO033N03MSGXUMA1CT-ND
别名:BSO033N03MS GINCT
BSO033N03MS GINCT-ND
BSO033N03MSGXUMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 240MA 8HSOF
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 240A(Tc) 214W(Tc) PG-HSOF-8-1
型号:
IPT012N06NATMA1
仓库库存编号:
IPT012N06NATMA1-ND
别名:SP001637074
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP20N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPP20N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000681060
SPP20N60CFD
SPP20N60CFD-ND
SPP20N60CFDIN
SPP20N60CFDIN-ND
SPP20N60CFDX
SPP20N60CFDXK
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20.7A(Tc) 35W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA20N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPA20N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000216361
SPA20N60CFD
SPA20N60CFD-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW20N60CFDFKSA1
仓库库存编号:
SPW20N60CFDFKSA1-ND
别名:SP000014535
SPW20N60CFD
SPW20N60CFD-ND
SPW20N60CFDIN
SPW20N60CFDIN-ND
SPW20N60CFDX
SPW20N60CFDXK
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP06CN10LGXKSA1
仓库库存编号:
IPP06CN10LGXKSA1-ND
别名:IPP06CN10L G
IPP06CN10L G-ND
SP000308789
SP000680820
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI20N60CFDHKSA1
仓库库存编号:
SPI20N60CFDHKSA1-ND
别名:SP000229995
SP000681008
SPI20N60CFD
SPI20N60CFD-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP20N60CFDHKSA1
仓库库存编号:
SPP20N60CFDHKSA1-ND
别名:SP000014475
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 124nC @ 10V,
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