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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN1R1-30PL,127
  仓库库存编号：1727-5291-ND
  别名：1727-5291
  568-6719
  568-6719-5
  568-6719-5-ND
  568-6719-ND
  934065166127
  PSMN1R130PL127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 243nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN1R1-30EL,127
  仓库库存编号：1727-5287-ND
  别名：1727-5287
  568-6715
  568-6715-5
  568-6715-5-ND
  568-6715-ND
  934065159127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 243nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK
  详细描述：N 沟道 300A（Tc） 3.8W（Ta）, 250W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：FDB0170N607L
  仓库库存编号：FDB0170N607LCT-ND
  别名：FDB0170N607LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 243nC @ 10V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 254W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8160_F085
  仓库库存编号：FDB8160_F085CT-ND
  别名：FDB8160_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 243nC @ 10V,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMNR90-30BL,118
  仓库库存编号：1727-7110-1-ND
  别名：1727-7110-1
  568-9480-1
  568-9480-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 243nC @ 10V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 254W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8160
  仓库库存编号：FDB8160-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 243nC @ 10V,
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