产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 5V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 75A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
NTB75N03-06T4
仓库库存编号:
NTB75N03-06T4OS-ND
别名:NTB75N03-06T4OS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 75A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
NTB75N03L09T4
仓库库存编号:
NTB75N03L09T4OS-ND
别名:NTB75N03L09T4OS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP75N03-006
仓库库存编号:
NTP75N03-006OS-ND
别名:NTP75N03-006OS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP75N03L09
仓库库存编号:
NTP75N03L09OS-ND
别名:NTP75N03L09OS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 75A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
NTB75N03L09T4G
仓库库存编号:
NTB75N03L09T4GOS-ND
别名:NTB75N03L09T4GOS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP75N03L09G
仓库库存编号:
NTP75N03L09GOS-ND
别名:NTP75N03L09GOS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 75A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
NTB75N03-006
仓库库存编号:
NTB75N03-006-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 75A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
NTB75N03-6G
仓库库存编号:
NTB75N03-6G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 75A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
NTB75N03-6T4G
仓库库存编号:
NTB75N03-6T4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 75A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
NTB75N03L09G
仓库库存编号:
NTB75N03L09G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP75N03-6G
仓库库存编号:
NTP75N03-6G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7809A
仓库库存编号:
IRF7809A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7809ATR
仓库库存编号:
IRF7809ATR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 5V,
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