产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 10A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 230W（Tc） TO-247-3
型号：
STW12NK95Z
仓库库存编号：
497-5167-5-ND
别名：497-5167-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 9.2A（Ta） 1W（Ta） U-DFN2523-6
型号：
DMP2018LFK-7
仓库库存编号：
DMP2018LFK-7DICT-ND
别名：DMP2018LFK-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 45A 8-SOP ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPCA8026(TE12L,Q,M
仓库库存编号：
TPCA8026TE12LQMCT-ND
别名：TPCA8026TE12LQM
TPCA8026TE12LQMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 40V 33A POWER
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 40V 33A, 156A 2.3W Surface Mount 8-Power 5x6
型号：
FDMD8540L
仓库库存编号：
FDMD8540LCT-ND
别名：FDMD8540LCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 3.8W（Ta）, 250W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
FDB0300N1007L
仓库库存编号：
FDB0300N1007LCT-ND
别名：FDB0300N1007LCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 52A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 960W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH52N50P2
仓库库存编号：
IXFH52N50P2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 52A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 52A（Tc） 960W（Tc） TO-268
型号：
IXFT52N50P2
仓库库存编号：
IXFT52N50P2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 52A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 660W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH52N65X
仓库库存编号：
IXTH52N65X-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 7W（Tc） 8-SOIC
型号：
SQ4483EY-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ4483EY-T1_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 22A（Tc） 7W（Tc） 8-SOIC
型号：
SQ4483BEEY-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ4483BEEY-T1_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta） 3.8W（Ta），158W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5830NLT3G
仓库库存编号：
NVMFS5830NLT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 172A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta） 3.8W（Ta），158W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5830NLWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5830NLWFT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta） 3.8W（Ta），158W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5830NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS5830NLT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 172A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta） 3.8W（Ta），158W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5830NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5830NLWFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 9.6A（Tc） 96W（Tc） TO-3PF
型号：
IRFS450B
仓库库存编号：
IRFS450B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 130A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 750W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ130N15T
仓库库存编号：
IXTQ130N15T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 130A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 750W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH130N15T
仓库库存编号：
IXTH130N15T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 25A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Ta），40A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） Power56
型号：
FDMS8660S
仓库库存编号：
FDMS8660SCT-ND
别名：FDMS8660SCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 14A TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 205W（Tc） TO-3PN
型号：
IRFP450B
仓库库存编号：
IRFP450B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 28A SO-8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 28A（Ta），172A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5830NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5830NLT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR640DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR640DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR640DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 113nC @ 10V,
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