产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Tc) 1.1W(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2300DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2300DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2300DS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.8A(Tc) 4W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3456BEV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3456BEV-T1_GE3CT-ND
别名:SQ3456BEV-T1-GE3CT
SQ3456BEV-T1-GE3CT-ND
SQ3456BEV-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.3A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA416DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA416DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA416DJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 840MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 840mA(Tc) 3W(Tc) TO-236(SOT-23)
型号:
SQ2325ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2325ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2325ES-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Tc) 1.25W(Ta),2.1W(Tc)
型号:
SI2366DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2366DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2366DS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.8A(Tc) 4W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3418AEEV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3418AEEV-T1_GE3-ND
别名:SQ3418AEEV-T1-GE3
SQ3418AEEV-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.2A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR010PBF
仓库库存编号:
IRFR010PBF-ND
别名:*IRFR010PBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.2A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR010TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR010TRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.2A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR010TRPBF
仓库库存编号:
IRFR010TRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 8.2A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR010
仓库库存编号:
IRFR010-ND
别名:*IRFR010
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 8.2A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR010TRL
仓库库存编号:
IRFR010TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 8.2A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR010TR
仓库库存编号:
IRFR010TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 8.2A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR010TRR
仓库库存编号:
IRFR010TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 50V 8.2A(Tc) 25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU010
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 1.49A(Ta) 700mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2303BDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2303BDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2303BDS-T1-E3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.25W(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2308DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2308DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2308DS-T1-E3CT
SI2308DST1E3
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 1.49A(Ta) 700mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2303BDS-T1
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 1.49A(Ta) 700mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2303BDS-T1-GE3
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