产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.8A(Tc) 48W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL9N60M2
仓库库存编号:
497-14970-1-ND
别名:497-14970-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 101W(Tc) TO-247-3
型号:
IPW80R280P7XKSA1
仓库库存编号:
IPW80R280P7XKSA1-ND
别名:SP001422758
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 45W(Tc) TO-220
型号:
STP2N95K5
仓库库存编号:
497-14280-5-ND
别名:497-14280-5
STP2N95K5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STF9N60M2
仓库库存编号:
497-13833-5-ND
别名:497-13833-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 60W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU9N65M2
仓库库存编号:
497-15046-5-ND
别名:497-15046-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STF9N65M2
仓库库存编号:
497-15037-5-ND
别名:497-15037-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 60W(Tc) TO-220
型号:
STP9N60M2
仓库库存编号:
497-13843-5-ND
别名:497-13843-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1050V 1.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1.5A(Tc) 60W(Tc) TO-220
型号:
STP2N105K5
仓库库存编号:
497-15277-5-ND
别名:497-15277-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1050V 2A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 30W(Tc) TO-3PF
型号:
STFW2N105K5
仓库库存编号:
497-15537-5-ND
别名:497-15537-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.13A(Ta) 400mW(Tj) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR4502PT1G
仓库库存编号:
NTR4502PT1GOSCT-ND
别名:NTR4502PT1G-ND
NTR4502PT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3L
型号:
AO3434A
仓库库存编号:
785-1460-1-ND
别名:785-1460-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 1.25W(Ta) TSMT6(SC-95)
型号:
RQ6E035ATTCR
仓库库存编号:
RQ6E035ATTCRCT-ND
别名:RQ6E035ATTCRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A, 12A 700mW, 900mW Surface Mount 8-Power33 (3x3)
型号:
FDMC8200
仓库库存编号:
FDMC8200CT-ND
别名:FDMC8200CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 32W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS80R1K4P7AKMA1
仓库库存编号:
IPS80R1K4P7AKMA1-ND
别名:SP001422736
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD9N60M2
仓库库存编号:
497-13864-1-ND
别名:497-13864-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 46W(Tc) DPAK+
型号:
TK15S04N1L,LQ
仓库库存编号:
TK15S04N1LLQCT-ND
别名:TK15S04N1LLQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 32W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP80R1K4P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP80R1K4P7XKSA1-ND
别名:SP001422718
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 24W(Tc) TO-220-3F
型号:
IPA80R1K4P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA80R1K4P7XKSA1-ND
别名:SP001422546
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD9N65M2
仓库库存编号:
497-15051-1-ND
别名:497-15051-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD2N105K5
仓库库存编号:
497-15308-1-ND
别名:497-15308-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Ta) 510mW(Ta), 3.9W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV50ENEAR
仓库库存编号:
1727-2533-1-ND
别名:1727-2533-1
568-12972-1
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产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD135N03L G
仓库库存编号:
IPD135N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD135N03L GCT
IPD135N03L GCT-ND
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 16A 32W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK9K52-60E,115
仓库库存编号:
1727-7273-1-ND
别名:1727-7273-1
568-9903-1
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产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 7W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN80R1K4P7ATMA1
仓库库存编号:
IPN80R1K4P7ATMA1CT-ND
别名:IPN80R1K4P7ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 45W(Tc) DPAK
型号:
STD2N95K5
仓库库存编号:
497-14266-1-ND
别名:497-14266-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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