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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 2.8W（Ta），37W（Tc）
  
  型号：IRFHM8326TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM8326TRPBFCT-ND
  别名：IRFHM8326TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 15A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），80A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7191TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7191TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7191TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  N-CHANNEL_100+
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD35N12S3L24ATMA1
  仓库库存编号：IPD35N12S3L24ATMA1CT-ND
  别名：IPD35N12S3L24ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7853TRPBF
  仓库库存编号：IRF7853TRPBFCT-ND
  别名：IRF7853TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7855TRPBF
  仓库库存编号：IRF7855TRPBFCT-ND
  别名：IRF7855TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R380C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD65R380C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD65R380C6ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R380C6BTMA1
  仓库库存编号：IPD65R380C6BTMA1CT-ND
  别名：IPD65R380C6BTMA1CT
  IPD65R380C6CT
  IPD65R380C6CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 16.5A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 16.5A（Tc） 100W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP17P10
  仓库库存编号：FQP17P10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 18A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 18A（Tc） 83W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP18P10T
  仓库库存编号：IXTP18P10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP4N100Q
  仓库库存编号：IXFP4N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF840LCPBF
  仓库库存编号：IRF840LCPBF-ND
  别名：*IRF840LCPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP3N120
  仓库库存编号：IXFP3N120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 165W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMG9N65CT
  仓库库存编号：DMG9N65CTDI-ND
  别名：DMG9N65CTDI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA65R380E6
  仓库库存编号：IPA65R380E6-ND
  别名：IPA65R380E6XKSA1
  SP000795282
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R380E6
  仓库库存编号：IPP65R380E6-ND
  别名：IPP65R380E6XKSA1
  SP000795280
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 27.4A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 27.4A（Tc） 33W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FDPF190N15A
  仓库库存编号：FDPF190N15A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 12A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF13N50FT
  仓库库存编号：FDPF13N50FT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 227.2W（Tc） TO-3PSG
  
  型号：RJK60S7DPK-M0#T0
  仓库库存编号：RJK60S7DPK-M0#T0-ND
  别名：RJK60S7DPKM0T0
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 34.7W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK60S7DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK60S7DPP-E0#T2-ND
  别名：RJK60S7DPPE0T2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 106W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN8R5-60YS,115
  仓库库存编号：1727-4280-1-ND
  别名：1727-4280-1
  568-4969-1
  568-4969-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD35N10S3L26ATMA1
  仓库库存编号：IPD35N10S3L26ATMA1CT-ND
  别名：IPD35N10S3L26ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD20NF20
  仓库库存编号：497-5810-1-ND
  别名：497-5810-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 17.5A 8MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Ta），19.5A（Tc） 2.3W（Ta），31W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC7678
  仓库库存编号：FDMC7678CT-ND
  别名：FDMC7678CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Ta） 107W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK65S04N1L,LQ
  仓库库存编号：TK65S04N1LLQCT-ND
  别名：TK65S04N1LLQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP20NF20
  仓库库存编号：497-5812-5-ND
  别名：497-5812-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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