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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 3.5A（Tc） 80W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR4N100Q
  仓库库存编号：IXFR4N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 15.1A (Tc） 118W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R400CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD65R400CEAUMA1-ND
  别名：SP001466800
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB35N10S3L26ATMA1
  仓库库存编号：IPB35N10S3L26ATMA1-ND
  别名：SP000776044
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 54W Surface Mount PG-TDSON-8-10
  
  型号：IPG20N04S4L08AATMA1
  仓库库存编号：IPG20N04S4L08AATMA1-ND
  别名：SP001265576
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 29A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC018NE2LSATMA1
  仓库库存编号：BSC018NE2LSATMA1CT-ND
  别名：BSC018NE2LSCT
  BSC018NE2LSCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-4
  
  型号：IPG20N06S4L14ATMA2
  仓库库存编号：IPG20N06S4L14ATMA2-ND
  别名：SP001028632
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-10
  
  型号：IPG20N06S4L14AATMA1
  仓库库存编号：IPG20N06S4L14AATMA1-ND
  别名：SP001023846
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 31W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R400CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA65R400CEXKSA1-ND
  别名：SP001429766
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R380E6BTMA1
  仓库库存编号：IPD65R380E6BTMA1CT-ND
  别名：IPD65R380E6BTMA1CT
  IPD65R380E6CT
  IPD65R380E6CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R380E6ATMA1
  仓库库存编号：IPD65R380E6ATMA1-ND
  别名：SP001117736
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.1A（Tc） 83W（Tc） Thin-Pak（8x8）
  
  型号：IPL65R420E6AUMA1
  仓库库存编号：IPL65R420E6AUMA1-ND
  别名：SP000895214
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R380C6ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R380C6ATMA1CT-ND
  别名：IPB65R380C6CT
  IPB65R380C6CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R380C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R380C6XKSA1-ND
  别名：IPP65R380C6
  IPP65R380C6-ND
  SP000785082
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R380C6XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R380C6XKSA1-ND
  别名：IPA65R380C6
  IPA65R380C6-ND
  SP000720896
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI65R380C6XKSA1
  仓库库存编号：IPI65R380C6XKSA1-ND
  别名：IPI65R380C6
  IPI65R380C6-ND
  SP000785080
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF840
  仓库库存编号：497-2731-5-ND
  别名：497-2731-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP20N20
  仓库库存编号：497-4373-5-ND
  别名：497-4373-5
  
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Ta） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF20N20
  仓库库存编号：497-4339-5-ND
  别名：497-4339-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 18A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD20N20T4
  仓库库存编号：497-4330-1-ND
  别名：497-4330-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 50V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 50V 18A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9Z30
  仓库库存编号：IRF9Z30-ND
  别名：*IRF9Z30
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI840GLC
  仓库库存编号：IRFI840GLC-ND
  别名：*IRFI840GLC
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF840LCS
  仓库库存编号：IRF840LCS-ND
  别名：*IRF840LCS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.7A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI740GLC
  仓库库存编号：IRFI740GLC-ND
  别名：*IRFI740GLC
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIBC40GLC
  仓库库存编号：IRFIBC40GLC-ND
  别名：*IRFIBC40GLC
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF840LCL
  仓库库存编号：IRF840LCL-ND
  别名：*IRF840LCL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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