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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 10A（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF740LCL
  仓库库存编号：IRF740LCL-ND
  别名：*IRF740LCL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF740LC
  仓库库存编号：IRF740LC-ND
  别名：*IRF740LC
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 10A（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF740LCS
  仓库库存编号：IRF740LCS-ND
  别名：*IRF740LCS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 10A（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF740LCSTRL
  仓库库存编号：IRF740LCSTRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 10A（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF740LCSTRR
  仓库库存编号：IRF740LCSTRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 10A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF740L
  仓库库存编号：IRF740L-ND
  别名：*IRF740L
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF840LCSTRL
  仓库库存编号：IRF840LCSTRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF840LCSTRR
  仓库库存编号：IRF840LCSTRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFBC40LCL
  仓库库存编号：IRFBC40LCL-ND
  别名：*IRFBC40LCL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBC40LC
  仓库库存编号：IRFBC40LC-ND
  别名：*IRFBC40LC
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC40LCS
  仓库库存编号：IRFBC40LCS-ND
  别名：*IRFBC40LCS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC40LCSTRL
  仓库库存编号：IRFBC40LCSTRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC40LCSTRR
  仓库库存编号：IRFBC40LCSTRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 34.3A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 34.3A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH20100S,115
  仓库库存编号：1727-3049-1-ND
  别名：1727-3049-1
  568-2175-1
  568-2175-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 5A（Ta），35A（Tc） 150W（Tc） TO-263AB
  
  型号：FDB42AN15A0
  仓库库存编号：FDB42AN15A0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 16.5A（Tc） 3.75W（Ta），100W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB17P10TM
  仓库库存编号：FQB17P10TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 10.5A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 10.5A（Tc） 41W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF17P10
  仓库库存编号：FQPF17P10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 12.4A TO-3PF
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 12.4A（Tc） 56W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF17P10
  仓库库存编号：FQAF17P10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 18A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 18A（Tc） 120W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA17P10
  仓库库存编号：FQA17P10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8014(TE12L,Q,M)
  仓库库存编号：TPC8014(TE12L,Q,M)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 8.4A（Tc） 36W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF08N60ZG
  仓库库存编号：NDF08N60ZGOS-ND
  别名：NDF08N60ZG-ND
  NDF08N60ZGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 250V 17A TO3P
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 17A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK2555DPA-00#J0
  仓库库存编号：RJK2555DPA-00#J0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
  
  型号：JAN2N6758
  仓库库存编号：JAN2N6758-ND
  别名：JAN2N6758-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
  
  型号：JAN2N6760
  仓库库存编号：JAN2N6760-ND
  别名：JAN2N6760-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AA TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
  
  型号：JANTX2N6758
  仓库库存编号：JANTX2N6758-ND
  别名：JANTX2N6758-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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