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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AA TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
  
  型号：JANTX2N6760
  仓库库存编号：JANTX2N6760-ND
  别名：JANTX2N6760-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 9A
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
  
  型号：JANTXV2N6758
  仓库库存编号：JANTXV2N6758-ND
  别名：JANTXV2N6758-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
  
  型号：JANTXV2N6760
  仓库库存编号：JANTXV2N6760-ND
  别名：JANTXV2N6760-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA
  
  型号：2N6758
  仓库库存编号：2N6758-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 400V TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA
  
  型号：2N6760
  仓库库存编号：2N6760-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 53W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M012A060FH
  仓库库存编号：GP1M012A060FH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 14A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 231W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M015A050H
  仓库库存编号：GP1M015A050H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 231W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M012A060H
  仓库库存编号：1560-1180-5-ND
  别名：1560-1180-1
  1560-1180-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 14A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 53W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M015A050FH
  仓库库存编号：1560-1182-5-ND
  别名：1560-1182-1
  1560-1182-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2P-CH 30V 9A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 9A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AO4805L_101
  仓库库存编号：AO4805L_101-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 50W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM10NB60CI C0G
  仓库库存编号：TSM10NB60CI C0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7450
  仓库库存编号：IRF7450-ND
  别名：*IRF7450
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7450TR
  仓库库存编号：IRF7450TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 15A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 15A（Ta），82A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7190TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7190TRPBF-ND
  别名：SP001560410
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-4
  
  型号：IPG20N06S4L14ATMA1
  仓库库存编号：IPG20N06S4L14ATMA1-ND
  别名：SP000705540
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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