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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD12N50M2
  仓库库存编号：497-15307-1-ND
  别名：497-15307-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD2HNK60Z-1
  仓库库存编号：497-12783-5-ND
  别名：497-12783-5
  STD2HNK60Z-1-ND
  STD2HNK60Z1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD090N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPD090N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPD090N03LGATMA1CT
  IPD090N03LGINCT
  IPD090N03LGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7101TRPBF
  仓库库存编号：IRF7101PBFCT-ND
  别名：*IRF7101TRPBF
  IRF7101PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.8A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD20N06TM
  仓库库存编号：FQD20N06TMCT-ND
  别名：FQD20N06TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.6A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD8P10TM
  仓库库存编号：FQD8P10TMCT-ND
  别名：FQD8P10TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 49W（Tc） TO-252AA
  
  型号：RFD12N06RLESM9A
  仓库库存编号：RFD12N06RLESM9ACT-ND
  别名：RFD12N06RLESM9ACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 2.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2.2A（Tc） 85W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP2N90
  仓库库存编号：FQP2N90FS-ND
  别名：FQP2N90-ND
  FQP2N90FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 8.8A（Tc） 42W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP08P06PHXKSA1
  仓库库存编号：SPP08P06PHXKSA1-ND
  别名：SP000446908
  SPP08P06P G
  SPP08P06P G-ND
  SPP08P06P H
  SPP08P06P H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 28W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF5N50T
  仓库库存编号：FDPF5N50T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），39A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC120N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC120N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC120N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC120N03LSGINCT
  BSC120N03LSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6A CPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 40W（Tc） CPT3
  
  型号：R6006ANDTL
  仓库库存编号：R6006ANDTLCT-ND
  别名：R6006ANDTLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 2A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF2HNK60Z
  仓库库存编号：497-12575-5-ND
  别名：497-12575-5
  STF2HNK60Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10N60DM2
  仓库库存编号：497-16959-ND
  别名：497-16959
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6006ANX
  仓库库存编号：R6006ANX-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10LN80K5
  仓库库存编号：497-16499-5-ND
  别名：497-16499-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 38A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R099C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R099C6XKSA1-ND
  别名：SP000895218
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.5A（Ta） 750mW（Ta）
  
  型号：SI2307BDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2307BDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2307BDS-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6.8A（Ta） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：TK7P65W,RQ
  仓库库存编号：TK7P65WRQCT-ND
  别名：TK7P65WRQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 2.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 2.2A（Tc） 45W（Tc） TO-220
  
  型号：STP2N62K3
  仓库库存编号：497-12612-5-ND
  别名：497-12612-5
  STP2N62K3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 2.2A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 2.2A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF2N62K3
  仓库库存编号：497-12247-ND
  别名：497-12247
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A SC-70
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc）
  
  型号：SIA444DJT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA444DJT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA444DJT-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 3.3W（Ta），43W（Tc） DPAK
  
  型号：SVD5867NLT4G
  仓库库存编号：SVD5867NLT4GOSCT-ND
  别名：NVD5867NLT4GOSCT
  NVD5867NLT4GOSCT-ND
  SVD5867NLT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.1A（Tc） 3W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3457CDV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3457CDV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3457CDV-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta），28.8W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD3055-150T4G
  仓库库存编号：NTD3055-150T4GOSCT-ND
  别名：NTD3055-150T4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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