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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD03N50C3
  仓库库存编号：SPD03N50C3INCT-ND
  别名：SPD03N50C3INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 3A 2.4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AUIRF7103QTR
  仓库库存编号：AUIRF7103QCT-ND
  别名：AUIRF7103QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 74W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC360N15NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC360N15NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC360N15NS3 GCT
  BSC360N15NS3 GCT-ND
  BSC360N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 53W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP20N06
  仓库库存编号：FQP20N06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 8A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 8A（Tc） 65W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP8P10
  仓库库存编号：FQP8P10FS-ND
  别名：FQP8P10-ND
  FQP8P10FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 22A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 2.1W（Ta），27W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF2910L
  仓库库存编号：785-1615-5-ND
  别名：785-1615-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 560mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9220PBF
  仓库库存编号：IRFD9220PBF-ND
  别名：*IRFD9220PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6004ENX
  仓库库存编号：R6004ENX-ND
  别名：R6004ENXCT
  R6004ENXCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 1.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 1.5A（Tc） 35W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF2N80
  仓库库存编号：FQPF2N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 12A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 1.56W（Ta），40W（Tc） LPTS（SC-83）
  
  型号：RCJ120N20TL
  仓库库存编号：RCJ120N20TLCT-ND
  别名：RCJ120N20TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 40W（Tc） LPTS（D2PAK）
  
  型号：R6004ENJTL
  仓库库存编号：R6004ENJTLCT-ND
  别名：R6004ENJTLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 2.23W（Ta），35W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RCX080N25
  仓库库存编号：RCX080N25-ND
  别名：RCX080N25CT
  RCX080N25CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R5007FNX
  仓库库存编号：R5007FNX-ND
  别名：R5007FNXCT
  R5007FNXCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：STP10LN80K5
  仓库库存编号：497-16500-5-ND
  别名：497-16500-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 6.8A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK7A65W,S5X
  仓库库存编号：TK7A65WS5X-ND
  别名：TK7A65W,S5X(M
  TK7A65WS5X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 85W（Tc） TO-220
  
  型号：STP12N50M2
  仓库库存编号：497-15273-5-ND
  别名：497-15273-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 3A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 3A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9620GPBF
  仓库库存编号：IRFI9620GPBF-ND
  别名：*IRFI9620GPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 85W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF12N50M2
  仓库库存编号：497-15268-5-ND
  别名：497-15268-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD5N50TM_WS
  仓库库存编号：FDD5N50TM_WSCT-ND
  别名：FDD5N50TM_WSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD3NK50ZT4
  仓库库存编号：497-4333-1-ND
  别名：497-4333-1
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 2.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 85W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP2N80
  仓库库存编号：FQP2N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 3.75W（Ta），65W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB8P10TM
  仓库库存编号：FQB8P10TMCT-ND
  别名：FQB8P10TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 28W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF5N50UT
  仓库库存编号：FDPF5N50UT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 2.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Tc） 45W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：STB2N62K3
  仓库库存编号：497-12971-1-ND
  别名：497-12971-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 1.5A（Tc） 35W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FQPF2N80YDTU
  仓库库存编号：FQPF2N80YDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V,
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