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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 1.14W（Ta） 6-DFN（3x3）
  
  型号：NTLGF3501NT2G
  仓库库存编号：NTLGF3501NT2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A, 10.5A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4916DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4916DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Fairchild/Micross Components
  DIE ASSYMERTRICAL FOR FDC6329L
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN340P
  仓库库存编号：FDN340P-DIE-ND
  别名：FCFDN340P
  FCFDN340P-ND
  FDN340P-DIE
  FDN340P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 1.6W Surface Mount PG-DSO-8
  
  型号：BSO211PHXUMA1
  仓库库存编号：BSO211PHXUMA1-ND
  别名：BSO211P H
  BSO211P H-ND
  SP000613844
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 17A, 32A 1W Surface Mount PG-TISON-8
  
  型号：BSC0924NDIATMA1
  仓库库存编号：BSC0924NDIATMA1-ND
  别名：SP000934750
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 17A, 32A 1W Surface Mount PG-TISON-8
  
  型号：BSC0923NDIATMA1
  仓库库存编号：BSC0923NDIATMA1-ND
  别名：SP000934758
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：STS8DNH3LL
  仓库库存编号：497-4399-1-ND
  别名：497-4399-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 4.8A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.8A（Ta） 510mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV20XN,215
  仓库库存编号：568-7534-1-ND
  别名：568-7534-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.5A（Tc） 830mW（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：SI2302DS,215
  仓库库存编号：568-5956-1-ND
  别名：568-5956-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.45A 500mW Surface Mount Micro8?
  
  型号：NTTD1P02R2
  仓库库存编号：NTTD1P02R2OS-ND
  别名：NTTD1P02R2OS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.3A（Ta） 1W（Ta） SC-88/SC70-6/SOT-363
  
  型号：NTJS4151PT1
  仓库库存编号：NTJS4151PT1OSCT-ND
  别名：NTJS4151PT1OSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.45A 500mW Surface Mount Micro8?
  
  型号：NTTD1P02R2G
  仓库库存编号：NTTD1P02R2GOS-ND
  别名：NTTD1P02R2GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.6A, 2.6A 800mW Surface Mount SuperSOT?-8
  
  型号：FDR8702H
  仓库库存编号：FDR8702H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.1A（Ta） 1.6W（Ta） SC75-6 FLMP
  
  型号：FDJ127P
  仓库库存编号：FDJ127P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 6A BGA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6A（Ta） 1.7W（Ta） 9-BGA（1.5x1.6）
  
  型号：FDZ298N
  仓库库存编号：FDZ298N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.3A（Ta） 1.14W（Ta） 6-DFN（3x3）
  
  型号：NTLGF3402PT1G
  仓库库存编号：NTLGF3402PT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.8A（Ta） 1.14W（Ta） 6-DFN（3x3）
  
  型号：NTLGF3501NT1G
  仓库库存编号：NTLGF3501NT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.1A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2302ADS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2302ADS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2302ADS-T1-E3CT
  SI2302ADST1E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.5A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5447DC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5447DC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5447DC-T1-E3CT
  SI5447DCT1E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 28V 4.1A 1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：SI6924AEDQ-T1-E3
  仓库库存编号：SI6924AEDQ-T1-E3CT-ND
  别名：SI6924AEDQ-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2.3A 800mW Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：SI6943BDQ-T1-E3
  仓库库存编号：SI6943BDQ-T1-E3CT-ND
  别名：SI6943BDQ-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 7.6A（Ta），40A（Tc） 1.27W（Ta），35.3W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4813NH-1G
  仓库库存编号：NTD4813NH-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 7.6A（Ta），40A（Tc） 1.27W（Ta），35.3W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4813NH-35G
  仓库库存编号：NTD4813NH-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 6A 9-BGA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6A（Ta） 1.7W（Ta） 9-BGA（1.5x1.6）
  
  型号：FDZ294N
  仓库库存编号：FDZ294NCT-ND
  别名：FDZ294NCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.5A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5447DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5447DC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5447DC-T1-GE3CT
  SI5447DCT1GE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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