产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF10NM60ND
仓库库存编号:
497-12246-ND
别名:497-12246
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 52W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL16N60M2
仓库库存编号:
497-16003-1-ND
别名:497-16003-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF3NK80Z
仓库库存编号:
497-4342-5-ND
别名:497-4342-5
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 30A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
STP30N10F7
仓库库存编号:
STP30N10F7-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 2A(Tc) 2.5W(Tc) SOT-223
型号:
STN2NE10
仓库库存编号:
STN2NE10-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 70W(Tc) I-Pak
型号:
STD8NM60N-1
仓库库存编号:
STD8NM60N-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF8NM60N
仓库库存编号:
497-7475-5-ND
别名:497-7475-5
STF8NM60N-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP8NM60N
仓库库存编号:
497-7533-5-ND
别名:497-7533-5
STP8NM60N-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD8NM60N
仓库库存编号:
497-7977-1-ND
别名:497-7977-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 70W(Tc) D2PAK
型号:
STB8NM60N
仓库库存编号:
497-8771-1-ND
别名:497-8771-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 4A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 950V 4A(Tc) 90W(Tc) TO-220
型号:
STP5N95K3
仓库库存编号:
497-10992-5-ND
别名:497-10992-5
STP5N95K3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
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