产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 5V,
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 24A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD30PF03LT4
仓库库存编号:
497-3158-1-ND
别名:497-3158-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 15A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL530PBF
仓库库存编号:
IRL530PBF-ND
别名:*IRL530PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 6-MLP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 800mW Surface Mount 6-MLP (2x3)
型号:
FDMB2307NZ
仓库库存编号:
FDMB2307NZFSCT-ND
别名:FDMB2307NZFSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8433A
仓库库存编号:
FDS8433ACT-ND
别名:FDS8433ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 9.7A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI530GPBF
仓库库存编号:
IRLI530GPBF-ND
别名:*IRLI530GPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),50A(Tc) 3.2W(Ta),56W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD6030L
仓库库存编号:
FDD6030LCT-ND
别名:FDD6030LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12.5A SOP8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSH125N03TB1
仓库库存编号:
RSH125N03TB1CT-ND
别名:RSH125N03TB1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS125N03FU6TB
仓库库存编号:
RSS125N03FU6TB-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRL530STRRPBF
仓库库存编号:
IRL530STRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
STS6PF30L
仓库库存编号:
STS6PF30L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 24A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 30V 24A(Tc) 70W(Tc) I-Pak
型号:
STD30PF03L-1
仓库库存编号:
STD30PF03L-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 15A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 15A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL530
仓库库存编号:
IRL530-ND
别名:*IRL530
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 15A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRL530STRR
仓库库存编号:
IRL530STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI530G
仓库库存编号:
IRLI530G-ND
别名:*IRLI530G
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 15A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 15A(Tc) TO-262-3
型号:
IRL530L
仓库库存编号:
IRL530L-ND
别名:*IRL530L
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 15A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRL530S
仓库库存编号:
IRL530S-ND
别名:*IRL530S
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 15A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRL530STRL
仓库库存编号:
IRL530STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 5V,
含铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS125N03TB
仓库库存编号:
RSS125N03TBTR-ND
别名:RSS125N03TB-ND
RSS125N03TBTR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.6A 2.3W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
PMWD19UN,518
仓库库存编号:
568-2361-1-ND
别名:568-2361-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 2.3W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
PMWD30UN,518
仓库库存编号:
568-2364-1-ND
别名:568-2364-1
PMWD30UN518
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS8934A
仓库库存编号:
FDS8934A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SOP
型号:
FQS4410TF
仓库库存编号:
FQS4410TF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 10A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4840DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4840DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4840DY-T1-E3CT
SI4840DYT1E3
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 10.4A(Ta) 1.83W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7848DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7848DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7848DP-T1-E3CT
SI7848DPT1E3
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 10A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4840DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4840DY-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 5V,
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