产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 75W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF630
仓库库存编号:
497-2757-5-ND
别名:497-2757-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),34A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7522E
仓库库存编号:
785-1505-1-ND
别名:785-1505-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 89A(Tc) 117W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN7R0-60YS,115
仓库库存编号:
1727-4635-1-ND
别名:1727-4635-1
568-5596-1
568-5596-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 10.8A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
FDS4141_F085
仓库库存编号:
FDS4141_F085CT-ND
别名:FDS4141_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7852ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7852ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7852ADP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS5672
仓库库存编号:
FDS5672CT-ND
别名:FDS5672CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 19.8A 3.25W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4204DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4204DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4204DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS2734
仓库库存编号:
FDS2734CT-ND
别名:FDS2734CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 38.5W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF16N50T
仓库库存编号:
FDPF16N50T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) 8-PowerPak? ChipFet(3x1.9)
型号:
SI5419DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5419DU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5419DU-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),50A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC100N06LS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC100N06LS3GATMA1CT-ND
别名:BSC100N06LS3 GCT
BSC100N06LS3 GCT-ND
BSC100N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),20A(Tc) 2.1W(Ta),50W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ100N06LS3 G
仓库库存编号:
BSZ100N06LS3GINCT-ND
别名:BSZ100N06LS3GINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 4.5W(Ta),31W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA12DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA12DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA12DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8817NZ
仓库库存编号:
FDS8817NZCT-ND
别名:FDS8817NZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 90W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3504ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR3504ZPBFCT-ND
别名:*IRFR3504ZTRPBF
IRFR3504ZPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
STD60N55F3
仓库库存编号:
497-7972-1-ND
别名:497-7972-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7852ADP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7852ADP-T1-E3CT-ND
别名:SI7852ADP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF22N60NT
仓库库存编号:
FCPF22N60NT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 90W(Tc) TO-220-3
型号:
STP16N65M5
仓库库存编号:
497-8788-5-ND
别名:497-8788-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 2W(Ta) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3E150BNTB
仓库库存编号:
RQ3E150BNTBCT-ND
别名:RQ3E150BNTBCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V S308
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),50W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ0901NS
仓库库存编号:
BSZ0901NSCT-ND
别名:BSZ0901NSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 22A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 150W(Tc) TO-247
型号:
STW31N65M5
仓库库存编号:
497-13122-5-ND
别名:497-13122-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 24A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 128W(Tc) PG-TO247
型号:
IPW65R095C7XKSA1
仓库库存编号:
IPW65R095C7XKSA1-ND
别名:SP001080128
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 57A SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 57A(Tc) 55W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA06EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA06EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA06EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 12.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 12.2A(Ta),70A(Tc) 3W(Ta),100W(Tc) DPAK
型号:
STD5406NT4G-VF01
仓库库存编号:
STD5406NT4G-VF01OSCT-ND
别名:STD5406NT4G-VF01OSCT
STD5406NT4GOSCT
STD5406NT4GOSCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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