产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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分立半导体产品
分立半导体产品
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 57A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 57A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA92EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA92EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA92EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
STD7NS20T4
仓库库存编号:
497-6566-1-ND
别名:497-6566-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 110W(Tc) I-Pak
型号:
STU60N55F3
仓库库存编号:
497-12698-5-ND
别名:497-12698-5
STU60N55F3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
STB14NM65N
仓库库存编号:
497-7000-1-ND
别名:497-7000-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 139W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA50R199CP
仓库库存编号:
IPA50R199CP-ND
别名:IPA50R199CPXKSA1
SP000236081
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R280E6
仓库库存编号:
IPW65R280E6-ND
别名:IPW65R280E6FKSA1
SP000795272
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247
详细描述:通孔 N 沟道 17.3A(Ta) 165W(Tc) TO-247
型号:
TK17N65W,S1F
仓库库存编号:
TK17N65WS1F-ND
别名:TK17N65W,S1F(S
TK17N65WS1F
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 130W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI20N65M5
仓库库存编号:
497-13533-ND
别名:497-13533
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 22A I2PAKFP
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 30W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI31N65M5
仓库库存编号:
497-13162-ND
别名:497-13162
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 17A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF23NM50N
仓库库存编号:
497-12573-5-ND
别名:497-12573-5
STF23NM50N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 18A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 130W(Tc) TO-220
型号:
STP20N65M5
仓库库存编号:
497-13538-ND
别名:497-13538
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 18A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 130W(Tc) TO-247
型号:
STW20N65M5
仓库库存编号:
497-13542-ND
别名:497-13542
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF31N65M5
仓库库存编号:
497-13101-5-ND
别名:497-13101-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 22A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 150W(Tc) TO-220
型号:
STP31N65M5
仓库库存编号:
497-13110-5-ND
别名:497-13110-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 3.5W(Ta),28W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISA12ADN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISA12ADN-T1-GE3CT-ND
别名:SISA12ADN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 17A DFN5X6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 17A 2.8W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号:
AON6816
仓库库存编号:
785-1499-1-ND
别名:785-1499-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 34A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),34A(Tc) 5W(Ta),43W(Tc) 8-DFN-EP(3x3)
型号:
AON7262E
仓库库存编号:
800-3749-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 40A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 48W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6262E
仓库库存编号:
800-3747-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 50A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 75W(Tj) Power56
型号:
FDMS9410L_F085
仓库库存编号:
FDMS9410L_F085CT-ND
别名:FDMS9410L_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7120ADN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7120ADN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7120ADN-T1-GE3CT
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 10.2A(Tc) 31W(Tc) TO-220-3
型号:
FCPF380N60E
仓库库存编号:
FCPF380N60E-ND
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 85W(Tc) DPAK
型号:
STD85N10F7AG
仓库库存编号:
497-16516-1-ND
别名:497-16516-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 10.2A(Tc) 106W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP380N60E
仓库库存编号:
FCP380N60E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 23A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),46W(Tc) Power56
型号:
FDMS7572S
仓库库存编号:
FDMS7572SCT-ND
别名:FDMS7572SCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.2A(Tc) 106W(Tc) D-Pak
型号:
FCD380N60E
仓库库存编号:
FCD380N60ECT-ND
别名:FCD380N60ECT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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