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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 16A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 5W（Ta），100W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL92N10F7AG
  仓库库存编号：497-16515-1-ND
  别名：497-16515-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 10.6A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS5672
  仓库库存编号：FDMS5672CT-ND
  别名：FDMS5672CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD65N55F3
  仓库库存编号：497-7973-1-ND
  别名：497-7973-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 17A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP50R199CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP50R199CPXKSA1-ND
  别名：IPP50R199CP
  IPP50R199CP-ND
  SP000680934
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17.3A（Ta） 165W（Tc） TO-220
  
  型号：TK17E65W,S1X
  仓库库存编号：TK17E65WS1X-ND
  别名：TK17E65W,S1X(S
  TK17E65WS1X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB31N65M5
  仓库库存编号：497-13084-1-ND
  别名：497-13084-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 15A TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FDPF16N50UT
  仓库库存编号：FDPF16N50UT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB23NM50N
  仓库库存编号：497-10874-1-ND
  别名：497-10874-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 22A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 205W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA22N60N
  仓库库存编号：FCA22N60N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 2.8A PWRFLT 8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta），14A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL23NM50N
  仓库库存编号：497-13449-1-ND
  别名：497-13449-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 45W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RDX100N60FU6
  仓库库存编号：RDX100N60FU6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta），15A（Tc） 2.8W（Ta），125W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL31N65M5
  仓库库存编号：497-14541-1-ND
  别名：497-14541-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），52W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ120P03NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ120P03NS3GATMA1CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4410DYTRPBF
  仓库库存编号：SI4410DYPBFCT-ND
  别名：*SI4410DYTRPBF
  SI4410DYPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.1A（Tc） 208W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R250E6XTMA1
  仓库库存编号：IPD65R250E6XTMA1CT-ND
  别名：IPD65R250E6XTMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 17A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI50R199CPXKSA1
  仓库库存编号：IPI50R199CPXKSA1-ND
  别名：IPI50R199CP
  IPI50R199CP-ND
  SP000523756
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：STP80N10F7
  仓库库存编号：497-14834-5-ND
  别名：497-14834-5
  STP80N10F7-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 178W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP8N80C
  仓库库存编号：FQP8N80CFS-ND
  别名：FQP8N80C-ND
  FQP8N80CFS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 59W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF8N80C
  仓库库存编号：FQPF8N80C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  详细描述：N 沟道 8A（Ta） 33W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：IPA80R650CEXKSA2
  仓库库存编号：IPA80R650CEXKSA2-ND
  别名：SP001313394
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF16N50
  仓库库存编号：FDPF16N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 40A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF80N10F7
  仓库库存编号：497-14832-5-ND
  别名：497-14832-5
  STF80N10F7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 32W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA65R280E6
  仓库库存编号：IPA65R280E6-ND
  别名：IPA65R280E6XKSA1
  SP000795276
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 59W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FQPF8N80CYDTU
  仓库库存编号：FQPF8N80CYDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 24A POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 74W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6024KNX
  仓库库存编号：R6024KNX-ND
  别名：R6024KNXTR
  R6024KNXTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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