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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS496EDNT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS496EDNT-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：UPA2737GR-E1-AT
  仓库库存编号：UPA2737GR-E1-AT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 69A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 69A（Tc） 71W（Tc） DPAK
  
  型号：STDV5804NT4G
  仓库库存编号：STDV5804NT4G-ND
  别名：NTDV5804NT4G
  NTDV5804NT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 700V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 11A（Tc） 271W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT11N70
  仓库库存编号：AOT11N70-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 700V 11A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 11A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF11N70
  仓库库存编号：AOTF11N70-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 3.9W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SQ4284EY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4284EY-T1_GE3-ND
  别名：SQ4284EY-T1-GE3
  SQ4284EY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 700V 11A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 11A（Tc） 28W（Tc）
  
  型号：AOWF11N70
  仓库库存编号：AOWF11N70-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7720DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7720DN-T1-GE3TR-ND
  别名：SI7720DN-T1-GE3TR
  SI7720DNT1GE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 400V 20A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF20N40L
  仓库库存编号：785-1432-5-ND
  别名：785-1432-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 4.9A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF734
  仓库库存编号：IRF734-ND
  别名：*IRF734
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  UNIFET N-CHANNEL 500V MOSFET LDT
  详细描述：通孔 N 沟道 16.5A（Tc） 205W（Tc） TO-3
  
  型号：FDA16N50LDTU
  仓库库存编号：FDA16N50LDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK15A60D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK15A60D(STA4QM)-ND
  别名：TK15A60D(STA4QM)
  TK15A60DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 18A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK18A50D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK18A50D(STA4QM)-ND
  别名：TK18A50D(STA4QM)
  TK18A50DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 22A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 205W（Tc） TO-247-3
  
  型号：FCH22N60N
  仓库库存编号：FCH22N60N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 450V 19A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK19A45D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK19A45D(STA4QM)-ND
  别名：TK19A45D(STA4QM)
  TK19A45DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  FCP22N60N IN TO220 F102 T/F OPTI
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 205W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCP22N60N_F102
  仓库库存编号：FCP22N60N_F102-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXKP20N60C5
  仓库库存编号：IXKP20N60C5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） TO-247AD（IXKH）
  
  型号：IXKH20N60C5
  仓库库存编号：IXKH20N60C5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 31A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R099P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R099P7XKSA1-ND
  别名：SP001658390
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 117W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R099P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R099P7XKSA1-ND
  别名：SP001647032
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 117W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R099P7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R099P7XKSA1-ND
  别名：SP001647038
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 11A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），52W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ120P03NS3EGATMA1
  仓库库存编号：BSZ120P03NS3EGATMA1TR-ND
  别名：BSZ120P03NS3E G
  BSZ120P03NS3E G-ND
  SP000709730
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 75W（Tc） PG-TDSON-8-34
  
  型号：IPC100N04S52R8ATMA1
  仓库库存编号：IPC100N04S52R8ATMA1-ND
  别名：SP001418102
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 14A（Ta） 2.5W（Ta），41W（Tc） DIRECTFET? SC
  
  型号：AUIRF7732S2TR
  仓库库存编号：AUIRF7732S2TR-ND
  别名：SP001519174
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 13.1A（Tc） 104W（Tc） Thin-Pak（8x8）
  
  型号：IPL65R310E6AUMA1
  仓库库存编号：IPL65R310E6AUMA1-ND
  别名：SP000895216
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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