以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 14A（Ta） 40W（Tc） TO-220NIS
  
  型号：2SJ304(F)
  仓库库存编号：2SJ304(F)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Ta） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：2SK2866(F)
  仓库库存编号：2SK2866(F)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Ta） 40W（Tc） TO-220NIS
  
  型号：2SK3313(Q)
  仓库库存编号：2SK3313(Q)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 69A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 69A（Tc） 71W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD5804NT4G
  仓库库存编号：NTD5804NT4GOSCT-ND
  别名：NTD5804NT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 28A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 28A（Ta），49A（Tc） 3.3W（Ta），60W（Tc） Dual Cool?56
  
  型号：FDMS2510SDC
  仓库库存编号：FDMS2510SDCCT-ND
  别名：FDMS2510SDCCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Tc） 3W（Ta），6.25W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4646DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4646DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Tc） 3W（Ta），6.25W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4646DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4646DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 23.1A（Tc） 3.1W（Ta），5.6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4660DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4660DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4684DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4684DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4684DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4684DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 5W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIJ484DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIJ484DP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 70A（Tc） 3.75W（Ta），93W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM70N03-09CP-E3
  仓库库存编号：SUM70N03-09CP-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 550V 16A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 16A（Ta） TO-220SIS
  
  型号：TK16A55D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK16A55D(STA4QM)-ND
  别名：TK16A55D(STA4QM)
  TK16A55DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 14A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），65A（Tc） 2W（Ta），42W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6426
  仓库库存编号：785-1345-1-ND
  别名：785-1345-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 40A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 40A（Ta） 65W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK0660DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK0660DPA-00#J5A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 16A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Ta） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK6014DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK6014DPP-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Ta） 150W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK6014DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK6014DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4407L
  仓库库存编号：AO4407L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4410DY
  仓库库存编号：SI4410DY-ND
  别名：*SI4410DY
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 42A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3504ZTR
  仓库库存编号：IRFR3504ZTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 42A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3504ZTRL
  仓库库存编号：IRFR3504ZTRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 42A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3504ZTRR
  仓库库存编号：IRFR3504ZTRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 42A（Tc） 90W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3504Z
  仓库库存编号：IRFU3504Z-ND
  别名：*IRFU3504Z
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 42A（Tc） 90W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3504ZPBF
  仓库库存编号：IRFU3504ZPBF-ND
  别名：*IRFU3504ZPBF
  SP001568178
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 42A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR3504Z
  仓库库存编号：AUIRFR3504Z-ND
  别名：SP001519606
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索