产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(19)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(19)
筛选品牌
Infineon Technologies (19)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 2.6W(Ta) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
IRFHM9391TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM9391TRPBFCT-ND
别名:IRFHM9391TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),37W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ036NE2LS
仓库库存编号:
BSZ036NE2LSCT-ND
别名:BSZ036NE2LSCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 42W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP02N80C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP02N80C3XKSA1-ND
别名:SP000683150
SPP02N80C3
SPP02N80C3IN
SPP02N80C3IN-ND
SPP02N80C3X
SPP02N80C3XK
SPP02N80C3XTIN
SPP02N80C3XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 30.5W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA02N80C3
仓库库存编号:
SPA02N80C3IN-ND
别名:SP000216295
SPA02N80C3IN
SPA02N80C3XK
SPA02N80C3XKSA1
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04P10PLGBTMA1
仓库库存编号:
SPD04P10PLGBTMA1CT-ND
别名:SPD04P10PL GCT
SPD04P10PL GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD02N80C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD02N80C3ATMA1CT-ND
别名:SPD02N80C3ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),82A(Tc) 2.5W(Ta),29W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC026NE2LS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC026NE2LS5ATMA1CT-ND
别名:BSC026NE2LS5ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 22A(Ta),84A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC032NE2LSATMA1
仓库库存编号:
BSC032NE2LSATMA1CT-ND
别名:BSC032NE2LSCT
BSC032NE2LSCT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU03N60S5BKMA1
仓库库存编号:
SPU03N60S5BKMA1-ND
别名:SP000012423
SPU03N60S5
SPU03N60S5-ND
SPU03N60S5IN
SPU03N60S5IN-ND
SPU03N60S5X
SPU03N60S5XK
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP03N60S5HKSA1
仓库库存编号:
SPP03N60S5HKSA1-ND
别名:SPP03N60S5
SPP03N60S5IN
SPP03N60S5IN-ND
SPP03N60S5X
SPP03N60S5XTIN
SPP03N60S5XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 20A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 20A(Tc) 44W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP50CN10NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP50CN10NGXKSA1-ND
别名:IPP50CN10N G
IPP50CN10N G-ND
IPP50CN10NGHKSA1
IPP50CN10NGIN
IPP50CN10NGIN-ND
IPP50CN10NGX
IPP50CN10NGXK
SP000096474
SP000680930
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB03N60S5ATMA1
仓库库存编号:
SPB03N60S5ATMA1CT-ND
别名:SPB03N60S5INCT
SPB03N60S5INCT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 2A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 2A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD02N80C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD02N80C3BTMA1CT-ND
别名:SPD02N80C3INCT
SPD02N80C3INCT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD03N60S5BTMA1
仓库库存编号:
SPD03N60S5BTMA1CT-ND
别名:SPD03N60S5INCT
SPD03N60S5INCT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 20A(Tc) 44W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB50CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPB50CN10NGATMA1TR-ND
别名:IPB50CN10N G
IPB50CN10N G-ND
SP000277696
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 20A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 20A(Tc) 44W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD49CN10N G
仓库库存编号:
IPD49CN10N G-ND
别名:SP000096459
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 20A(Tc) 44W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50CN10NGHKSA1
仓库库存编号:
IPI50CN10NGHKSA1-ND
别名:IPI50CN10N G
IPI50CN10N G-ND
SP000208937
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),40A(Tc) 2.5W(Ta),27W(Tc) PQFN(3x3)
型号:
IRFHM831TR2PBF
仓库库存编号:
IRFHM831TR2PBFCT-ND
别名:IRFHM831TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta),45A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC889N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC889N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC889N03LS GCT
BSC889N03LS GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号