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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10A（Tc） 49W（Tc） TO-251AA
  
  型号：HUF76609D3
  仓库库存编号：HUF76609D3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.1A, 3A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：MMDF2C03HDR2G
  仓库库存编号：MMDF2C03HDR2GOSCT-ND
  别名：MMDF2C03HDR2GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.6A（Tc） 54W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD5N60TF
  仓库库存编号：FCD5N60TFCT-ND
  别名：FCD5N60TFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 49W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUFA76609D3ST
  仓库库存编号：HUFA76609D3STCT-ND
  别名：HUFA76609D3STCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3458DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3458DV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3458DV-T1-E3CT
  SI3458DVT1E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.5A（Ta） 35W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RDX045N60FU6
  仓库库存编号：RDX045N60FU6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Ta） 35W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RDX050N50FU6
  仓库库存编号：RDX050N50FU6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
  
  型号：TPC8212-H(TE12LQ,M
  仓库库存编号：TPC8212-H(TE12LQ,M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5A（Tc） 47W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRF620B_FP001
  仓库库存编号：IRF620B_FP001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 1.13A（Tc） 2.4W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：IRFM220BTF_FP001
  仓库库存编号：IRFM220BTF_FP001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 4.6A（Tc） 2.5W（Ta），40W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR220BTM_FP001
  仓库库存编号：IRFR220BTM_FP001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 4.6A（Tc） 2.5W（Ta），40W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRFU220BTU_F080
  仓库库存编号：IRFU220BTU_F080-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 4.6A（Tc） 2.5W（Ta），40W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRFU220BTU_FP001
  仓库库存编号：IRFU220BTU_FP001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：2SK3868(Q,M)
  仓库库存编号：2SK3868(Q,M)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.2A（Tc） 57W（Tc） DPAK
  
  型号：NDD02N60ZT4G
  仓库库存编号：NDD02N60ZT4GOSCT-ND
  别名：NDD02N60ZT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.6A（Tc） 58W（Tc） DPAK
  
  型号：NDD03N50ZT4G
  仓库库存编号：NDD03N50ZT4GOSCT-ND
  别名：NDD03N50ZT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A TP
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 20A（Ta） 1W（Ta），23W（Tc） TP
  
  型号：SFT1446-H
  仓库库存编号：SFT1446-H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 7.7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.7A（Ta） 1.7W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4724
  仓库库存编号：785-1298-1-ND
  别名：785-1298-1
  
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 300V 11.5A TO252
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 11.5A（Tc） 150W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI468
  仓库库存编号：785-1387-2-ND
  别名：785-1387-2
  
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• ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 4.1A, 3A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：MVDF2C03HDR2G
  仓库库存编号：MVDF2C03HDR2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.4A（Tc） 24W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF02N60ZH
  仓库库存编号：NDF02N60ZH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 14A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），36A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD200
  仓库库存编号：AOD200-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 4.6A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ2319ES-T1-GE3
  仓库库存编号：SQ2319ES-T1-GE3CT-ND
  别名：SQ2319ES-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4411L
  仓库库存编号：AO4411L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4449L
  仓库库存编号：AO4449L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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