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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 90W（Tc） DPAK
  
  型号：STD3NK100Z
  仓库库存编号：497-7967-1-ND
  别名：497-7967-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Tc） 90W（Tc） DPAK
  
  型号：STD4NK100Z
  仓库库存编号：497-16035-1-ND
  别名：497-16035-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 9A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9A 3.1W Surface Mount 8-DFN (3x3)
  
  型号：AON7804
  仓库库存编号：785-1586-1-ND
  别名：785-1586-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZXMP7A17GTA
  仓库库存编号：ZXMP7A17GCT-ND
  别名：ZXMP7A17GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 50A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），50A（Tc） 3.2W（Ta），75W（Tc） 8-SON（5x6）
  
  型号：CSD18537NQ5A
  仓库库存编号：296-36455-1-ND
  别名：296-36455-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 4.3A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC5612
  仓库库存编号：FDC5612CT-ND
  别名：FDC5612CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Ta） 2.11W（Ta） TO-252-3
  
  型号：ZXMP7A17KTC
  仓库库存编号：ZXMP7A17KCT-ND
  别名：ZXMP7A17KCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 4.5A, 3.5A 1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS4559
  仓库库存编号：FDS4559CT-ND
  别名：FDS4559CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19.2W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA430DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA430DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA430DJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4464DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4464DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4464DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7820DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7820DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7820DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 5A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 2W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：AO6405
  仓库库存编号：785-1072-1-ND
  别名：785-1072-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4818B
  仓库库存编号：785-1059-1-ND
  别名：785-1059-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 39W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8778
  仓库库存编号：FDD8778CT-ND
  别名：FDD8778CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 3.9W（Ta），15.6W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR836DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR836DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR836DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 3A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC3512
  仓库库存编号：FDC3512CT-ND
  别名：FDC3512CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9120TRPBF
  仓库库存编号：IRFR9120PBFCT-ND
  别名：*IRFR9120TRPBF
  IRFR9120PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4464DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4464DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4464DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 20A WDFN8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），85A（Tc） 3.2W（Ta）, 55W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS5C454NLTAG
  仓库库存编号：NTTFS5C454NLTAGOSCT-ND
  别名：NTTFS5C454NLTAGOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7820DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7820DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7820DN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 8-MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），20A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC86102
  仓库库存编号：FDMC86102CT-ND
  别名：FDMC86102CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 6.8A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9520PBF
  仓库库存编号：IRF9520PBF-ND
  别名：*IRF9520PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9120PBF
  仓库库存编号：IRFD9120PBF-ND
  别名：*IRFD9120PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 2.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBC20PBF
  仓库库存编号：IRFBC20PBF-ND
  别名：*IRFBC20PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 6.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF8N50NZU
  仓库库存编号：FDPF8N50NZU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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