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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 8A, 7A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4616
  仓库库存编号：785-1043-1-ND
  别名：785-1043-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 50A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 3.2W（Ta），75W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD18537NQ5AT
  仓库库存编号：296-37747-1-ND
  别名：296-37747-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 80V 4.3A, 2.8A 1.3W Surface Mount TO-252-4L
  
  型号：FDD3510H
  仓库库存编号：FDD3510HCT-ND
  别名：FDD3510HCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 400V 6.6A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.6A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD9T40P
  仓库库存编号：785-1707-1-ND
  别名：785-1707-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 200V 18A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 94W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M018A020PG
  仓库库存编号：1560-1190-5-ND
  别名：1560-1190-1
  1560-1190-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 60V 7A
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7A 4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SQ4946AEY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4946AEY-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ4946AEY-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta），7A（Tc） 2.1W（Ta），42W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC2674
  仓库库存编号：FDMC2674CT-ND
  别名：FDMC2674CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 90W（Tc） DPAK
  
  型号：FDD8N50NZTM
  仓库库存编号：FDD8N50NZTMCT-ND
  别名：FDD8N50NZTMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 250V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD16NF25
  仓库库存编号：497-7959-1-ND
  别名：497-7959-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta），9.5A（Tc） 2.1W（Ta），42W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC2610
  仓库库存编号：FDMC2610CT-ND
  别名：FDMC2610CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS3512
  仓库库存编号：FDS3512CT-ND
  别名：FDS3512CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 100W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB8NM60T4
  仓库库存编号：497-5386-1-ND
  别名：497-5386-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V TO-236AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Ta） 460mW（Ta）, 6.94W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV25ENEAR
  仓库库存编号：1727-2528-1-ND
  别名：1727-2528-1
  568-12967-1
  568-12967-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD075N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPD075N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPD075N03LGINCT
  IPD075N03LGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：CSD88537NDT
  仓库库存编号：296-37795-1-ND
  别名：296-37795-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 94W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD18537NKCS
  仓库库存编号：296-36456-5-ND
  别名：296-36456-5
  CSD18537NKCS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 5.2A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 5.2A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9520GPBF
  仓库库存编号：IRFI9520GPBF-ND
  别名：*IRFI9520GPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 40.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF8N50NZ
  仓库库存编号：FDPF8N50NZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 100V 11A TO-220FP-5
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 11A 18W Through Hole TO-220-5 Full-Pak
  
  型号：IRFI4212H-117P
  仓库库存编号：IRFI4212H-117P-ND
  别名：IRFI4212H117P
  SP001560448
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC20SPBF
  仓库库存编号：IRFBC20SPBF-ND
  别名：*IRFBC20SPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R5009FNX
  仓库库存编号：R5009FNX-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 250V 14A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF16NF25
  仓库库存编号：497-12570-5-ND
  别名：497-12570-5
  STF16NF25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 780mW（Ta），1.8W（Tc） 4-Microfoot
  
  型号：SI8465DB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8465DB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8465DB-T2-E1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZXMP7A17GQTA
  仓库库存编号：ZXMP7A17GQTADICT-ND
  别名：ZXMP7A17GQTADICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 2.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4670DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4670DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4670DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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