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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 7A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 40W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF8N50NZF
  仓库库存编号：FDPF8N50NZF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 20W（Tc） CPT3
  
  型号：RSD100N10TL
  仓库库存编号：RSD100N10TLCT-ND
  别名：RSD100N10TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 20A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），20A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC86324
  仓库库存编号：FDMC86324CT-ND
  别名：FDMC86324CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 50W（Tc） LPTS
  
  型号：R5009FNJTL
  仓库库存编号：R5009FNJTLCT-ND
  别名：R5009FNJTLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB080N03L G
  仓库库存编号：IPB080N03L GCT-ND
  别名：IPB080N03L GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD7NM80
  仓库库存编号：497-8807-1-ND
  别名：497-8807-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：CSD88537ND
  仓库库存编号：296-37303-1-ND
  别名：296-37303-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 80V SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ2337ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2337ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2337ES-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFRC20TRPBF
  仓库库存编号：IRFRC20PBFCT-ND
  别名：*IRFRC20TRPBF
  IRFRC20PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 49A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC117N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC117N08NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC117N08NS5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 30V 14A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4492
  仓库库存编号：785-1290-1-ND
  别名：785-1290-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7464DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7464DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7464DP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7464DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7464DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7464DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 130W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP8N50NZ
  仓库库存编号：FDP8N50NZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4.5A (Ta) 2.4W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：TSM4946DCS RLG
  仓库库存编号：TSM4946DCS RLGTR-ND
  别名：TSM4946DCS RLGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4.5A (Ta) 2.4W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：TSM4946DCS RLG
  仓库库存编号：TSM4946DCS RLGCT-ND
  别名：TSM4946DCS RLGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4.5A (Ta) 2.4W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：TSM4946DCS RLG
  仓库库存编号：TSM4946DCS RLGDKR-ND
  别名：TSM4946DCS RLGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 96W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD5NM60-1
  仓库库存编号：497-12786-5-ND
  别名：497-12786-5
  STD5NM60-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF3NK100Z
  仓库库存编号：497-7473-5-ND
  别名：497-7473-5
  STF3NK100Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.9A（Ta） 800mW（Ta） ChipFET?
  
  型号：NTHS4166NT1G
  仓库库存编号：NTHS4166NT1GOSCT-ND
  别名：NTHS4166NT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4854
  仓库库存编号：AO4854-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 19.2W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA430DJT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA430DJT-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.3A（Tc） 8-SOIC
  
  型号：SI4058DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4058DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7A 1.5W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：AO8822
  仓库库存编号：785-1098-2-ND
  别名：785-1098-2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 7.5A ECH8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.5A（Ta） 1.5W（Ta） SOT-28FL/ECH8
  
  型号：ECH8315-TL-W
  仓库库存编号：ECH8315-TL-W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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