产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 40.3W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF8N50NZT
仓库库存编号:
FDPF8N50NZT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.1A(Tc) 27W(Tc) TO-220FP
型号:
NDF03N60ZH
仓库库存编号:
NDF03N60ZH-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 20V 25A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 25A(Tc) 2.5W(Ta),33W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD4120
仓库库存编号:
AOD4120-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 11A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta),57A(Tc) 2.3W(Ta),50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD496A
仓库库存编号:
AOD496A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 11A 8ULTRASO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta),36A(Tc) 2W(Ta),30W(Tc) UltraSO-8?
型号:
AOL1448
仓库库存编号:
AOL1448-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 17A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 30V 17A(Ta),46A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) TO-251A
型号:
AOI514
仓库库存编号:
785-1690-5-ND
别名:785-1690-5
AOI514-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
详细描述:通孔 N 沟道 100V 6A(Tc) 800mW(Tc) TO-39
型号:
JAN2N6788
仓库库存编号:
JAN2N6788-ND
别名:JAN2N6788-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 18-LCC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.5A(Tc) 800mW(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
JAN2N6788U
仓库库存编号:
JAN2N6788U-ND
别名:JAN2N6788U-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
详细描述:通孔 N 沟道 100V 6A(Tc) 800mW(Tc) TO-39
型号:
JANTX2N6788
仓库库存编号:
JANTX2N6788-ND
别名:JANTX2N6788-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 18-LCC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.5A(Tc) 800mW(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
JANTX2N6788U
仓库库存编号:
JANTX2N6788U-ND
别名:JANTX2N6788U-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 6A
详细描述:通孔 N 沟道 100V 6A(Tc) 800mW(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
JANTXV2N6788
仓库库存编号:
JANTXV2N6788-ND
别名:JANTXV2N6788-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 4.5A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.5A(Tc) 800mW(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
JANTXV2N6788U
仓库库存编号:
JANTXV2N6788U-ND
别名:JANTXV2N6788U-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V TO-205AF
详细描述:通孔 N 沟道 100V 6A(Tc) 800mW(Tc) TO-39
型号:
2N6788
仓库库存编号:
2N6788-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 18LCC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.5A(Tc) 800mW(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
2N6788U
仓库库存编号:
2N6788U-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 1A(Ta) 4-HVMDIP
型号:
IRFD9123
仓库库存编号:
IRFD9123-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Tc) 3.8W(Ta),50W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS334DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS334DN-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4A(Tc) 125W(Tc) TO-251A
型号:
AOI4C60
仓库库存编号:
785-1648-5-ND
别名:785-1648-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 18A(Tc) 94W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M018A020CG
仓库库存编号:
GP1M018A020CG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 30.4W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M018A020FG
仓库库存编号:
GP1M018A020FG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 200V 18A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 94W(Tc) TO-220
型号:
GP1M018A020HG
仓库库存编号:
1560-1189-5-ND
别名:1560-1189-1
1560-1189-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:通孔 N 沟道 30V 17A(Ta),46A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) TO-251B
型号:
AOY514
仓库库存编号:
AOY514-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:通孔 N 沟道 30V 17A(Ta),50A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) TO-251B
型号:
AOY528
仓库库存编号:
AOY528-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 8A, 7A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
AO4616L_102
仓库库存编号:
AO4616L_102-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
AO4818BL_101
仓库库存编号:
AO4818BL_101-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 8A
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
AO4818L
仓库库存编号:
AO4818L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
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