产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 76A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 76A(Tc) 595W(Tc) TO-247
型号:
FCH041N60F
仓库库存编号:
FCH041N60F-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 180A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN180N10
仓库库存编号:
IXFN180N10-ND
别名:479462
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Ta) 797W(Tc) TO-3P(L)
型号:
TK100L60W,VQ
仓库库存编号:
TK100L60WVQ-ND
别名:TK100L60W,VQ(O
TK100L60WVQ
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 90A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 560W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX90N30
仓库库存编号:
IXFX90N30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 74A MAX247
详细描述:通孔 N 沟道 74A(Tc) 447W(Tc) MAX247?
型号:
STY80NM60N
仓库库存编号:
497-8466-5-ND
别名:497-8466-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 120A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN120N20
仓库库存编号:
IXFN120N20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 73A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN73N30
仓库库存编号:
IXFN73N30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Ta),110A(Tc) 3.13W(Ta),312W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110N04-2M1P-E3
仓库库存编号:
SUM110N04-2M1P-E3CT-ND
别名:SUM110N04-2M1P-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 150A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 150V 150A(Tc) 560W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX150N15
仓库库存编号:
IXFX150N15-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 120A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 250V 120A(Tc) 730W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK120N25
仓库库存编号:
IXTK120N25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 73A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 300V 73A(Tc) 500W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK73N30
仓库库存编号:
IXFK73N30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 150A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 150V 150A(Tc) 560W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK150N15
仓库库存编号:
IXFK150N15-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 75A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 75A(Tc) 417W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR90N30
仓库库存编号:
IXFR90N30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 105A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 150V 105A(Tc) 400W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR150N15
仓库库存编号:
IXFR150N15-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 105A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 105A(Tc) 417W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR120N20
仓库库存编号:
IXFR120N20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 90A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 300V 90A(Tc) 560W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK90N30
仓库库存编号:
IXFK90N30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 150A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 100V 150A(Tc) 500W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK150N10
仓库库存编号:
IXFK150N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 500W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK100N10
仓库库存编号:
IXFK100N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 176A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 176A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE180N10
仓库库存编号:
IXFE180N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 250V 120A(Tc) 730W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN120N25
仓库库存编号:
IXTN120N25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 300V 90A(Tc) 560W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN90N30
仓库库存编号:
IXFN90N30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 44A(Tc) 380W(Tc) SOT-227B
型号:
IXKN45N80C
仓库库存编号:
IXKN45N80C-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 24A(Tc) 520W(Tc) ISOPLUSi5-Pak?
型号:
IXFL32N120P
仓库库存编号:
IXFL32N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 32A(Tc) 1000W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN32N120P
仓库库存编号:
IXFN32N120P-ND
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IXYS
MOSFET 6N-CH 75V 270A V2-PAK
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 270A Chassis Mount V2-PAK
型号:
VWM270-0075X2
仓库库存编号:
VWM270-0075X2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
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