产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 173A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 173A(Tc) 230W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL7537PBF
仓库库存编号:
IRFSL7537PBF-ND
别名:SP001578438
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 180A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S3-02
仓库库存编号:
IPB180N04S302ATMA1CT-ND
别名:IPB180N04S3-02CT
IPB180N04S3-02CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI120N04S302AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N04S302AKSA1-ND
别名:IPI120N04S3-02
IPI120N04S3-02-ND
IPI120N04S302
SP000261225
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 240A(Tc) 375W(Tc) TO-262-3 宽型
型号:
AUIRF3004WL
仓库库存编号:
AUIRF3004WL-ND
别名:SP001517752
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 370W(Tc) TO-247AC
型号:
AUIRFP4110
仓库库存编号:
AUIRFP4110-ND
别名:SP001517386
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 310W(Tc) I2PAK
型号:
STB200NF04-1
仓库库存编号:
497-3512-5-ND
别名:497-3512-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 38A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 250V 38A(Tc) 280W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP264
仓库库存编号:
IRFP264-ND
别名:*IRFP264
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 23A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 400V 23A(Tc) 280W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP360
仓库库存编号:
IRFP360-ND
别名:*IRFP360
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 280W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP460
仓库库存编号:
IRFP460IR-ND
别名:*IRFP460
IRFP460IR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 31A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 500V 31A(Tc) 460W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP31N50L
仓库库存编号:
IRFP31N50L-ND
别名:*IRFP31N50L
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP460P
仓库库存编号:
IRFP460P-ND
别名:*IRFP460P
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 260W(Tc) TO-247AD
型号:
IRFP460
仓库库存编号:
IRFP460IX-ND
别名:IRFP460IX
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 44A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 250V 44A(Tc) 380W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP264NPBF
仓库库存编号:
IRFP264NPBF-ND
别名:*IRFP264NPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 50A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 400V 50A(Tc) 460W(Tc) TO-264
型号:
FQL50N40
仓库库存编号:
FQL50N40-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 38A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 250V 38A(Tc) 280W(Tc) TO-247AD
型号:
IRFP264
仓库库存编号:
IRFP264X-ND
别名:IRFP264X
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 500V 28A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD
型号:
APT5020BN
仓库库存编号:
APT5020BN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 500V 28A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD
型号:
APT5020BNFR
仓库库存编号:
APT5020BNFR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 500V 27A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD
型号:
APT5022BNG
仓库库存编号:
APT5022BNG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 600V 23A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD
型号:
APT6030BN
仓库库存编号:
APT6030BN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP04CN10NG
仓库库存编号:
IPP04CN10NGIN-ND
别名:IPP04CN10N G
IPP04CN10NGIN
IPP04CN10NGXK
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI04CN10N G
仓库库存编号:
IPI04CN10N G-ND
别名:SP000398084
SP000680660
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB120N04S3-02
仓库库存编号:
IPB120N04S3-02CT-ND
别名:IPB120N04S3-02CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 210nC @ 10V,
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