产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 108nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 44A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 44A(Tc) 750W(Tc) TO-247
型号:
FDH44N50
仓库库存编号:
FDH44N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 108nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC017N04NS G
仓库库存编号:
BSC017N04NS GCT-ND
别名:BSC017N04NS GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 108nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 100A(Tc) 263W(Tc) D2PAK
型号:
BUK768R1-100E,118
仓库库存编号:
1727-1062-1-ND
别名:1727-1062-1
568-10171-1
568-10171-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 108nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 15A
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),99A(Tc) 3.2W(Ta),156W(Tc) 8-Dual Cool?88
型号:
FDMT800150DC
仓库库存编号:
FDMT800150DCCT-ND
别名:FDMT800150DCCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 108nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC019N04NSGATMA1
仓库库存编号:
BSC019N04NSGATMA1CT-ND
别名:BSC019N04NS GCT
BSC019N04NS GCT-ND
BSC019N04NSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 108nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 52A SO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 52A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ459EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ459EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ459EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 108nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 75A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ433EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ433EP-T1_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 108nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 272W(Tc) TO-220-5
型号:
BUK7907-40ATC,127
仓库库存编号:
BUK7907-40ATC,127-ND
别名:934057270127
BUK7907-40ATC
BUK7907-40ATC-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 108nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 200A(Ta) 375W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD18536KCS
仓库库存编号:
CSD18536KCS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 108nC @ 10V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 52A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 960W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ480P2
仓库库存编号:
IXTQ480P2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 108nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 22A(Ta),108A(Tc) 2.5W(Ta),63W(Tc) DIRECTFET? M4
型号:
AUIRF7736M2TR
仓库库存编号:
AUIRF7736M2TR-ND
别名:SP001517214
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 108nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 272W(Tc) SOT-426
型号:
BUK7107-40ATC,118
仓库库存编号:
BUK7107-40ATC,118-ND
别名:934057269118
BUK7107-40ATC /T3
BUK7107-40ATC /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 108nC @ 10V,
无铅
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