以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 9A（Tc） 44W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF9N50C
  仓库库存编号：FQPF9N50C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 9A（Tc） 135W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FQI9N50CTU
  仓库库存编号：FQI9N50CTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 9.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 9.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF16N25
  仓库库存编号：FQPF16N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 16A（Tc） 3.13W（Ta），142W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB16N25TM
  仓库库存编号：FQB16N25TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 11.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 11.4A（Tc） 147W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP11N40
  仓库库存编号：FQP11N40-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 11.4A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB11N40TM
  仓库库存编号：FQB11N40TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 11.4A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI11N40TU
  仓库库存编号：FQI11N40TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 12.4A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 12.4A（Tc） 85W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF16N25
  仓库库存编号：FQAF16N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 8.8A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 8.8A（Tc） 90W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF11N40
  仓库库存编号：FQAF11N40-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 7A（Tc） 198W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA7N80C
  仓库库存编号：FQA7N80C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 9A（Tc） 173W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB9N50CFTM
  仓库库存编号：FQB9N50CFTMCT-ND
  别名：FQB9N50CFTMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.7A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3483DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3483DV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3483DV-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
  
  型号：SIE800DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE800DF-T1-E3CT-ND
  别名：SIE800DF-T1-E3CT
  SIE800DFT1E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 23A（Tc） 3.75W（Ta），100W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM23N15-73-E3
  仓库库存编号：SUM23N15-73-E3CT-ND
  别名：SUM23N15-73-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS5682
  仓库库存编号：FDS5682CT-ND
  别名：FDS5682CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 6.6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 6.6A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF11N40T
  仓库库存编号：FQPF11N40T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 9A（Tc） 44W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FQPF9N50CYDTU
  仓库库存编号：FQPF9N50CYDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 36A SOP8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 36A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8A01-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8A01-H(TE12L,Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 20A（Tc） 33.8W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FDPF3860TYDTU
  仓库库存编号：FDPF3860TYDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI9936DY
  仓库库存编号：SI9936DY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 26A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8005-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCC8005-H(TE12LQMCT-ND
  别名：TPCC8005-H(TE12LQMCT
  TPCC8005HTE12LQM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 8A（Tc） 208W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT8N60
  仓库库存编号：785-1190-5-ND
  别名：785-1190-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.7A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3483DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3483DV-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V 2.4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4544DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4544DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V 2.4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4544DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4544DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索