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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
  
  型号：SIE800DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE800DF-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 23A（Ta） 60W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK1055DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK1055DPB-00#J5CT-ND
  别名：RJK1055DPB-00#J5CT
  RJK1055DPB00J5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 19A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4202
  仓库库存编号：785-1282-1-ND
  别名：785-1282-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 18A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta），54A（Tc） 2.5W（Ta），62W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD208
  仓库库存编号：AOD208-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 8A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF8N60
  仓库库存编号：AOTF8N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 22A DFN5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 22A（Ta），32A（Tc） 4.2W（Ta），35.7W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6442
  仓库库存编号：785-1600-1-ND
  别名：785-1600-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 40A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 40A（Tc） 71W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD40N04-10A-E3
  仓库库存编号：SUD40N04-10A-E3CT-ND
  别名：SUD40N04-10A-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 14A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
  
  型号：JAN2N6756
  仓库库存编号：JAN2N6756-ND
  别名：JAN2N6756-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AA TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 14A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA
  
  型号：JANTX2N6756
  仓库库存编号：JANTX2N6756-ND
  别名：JANTX2N6756-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 14A
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 14A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
  
  型号：JANTXV2N6756
  仓库库存编号：JANTXV2N6756-ND
  别名：JANTXV2N6756-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 14A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA
  
  型号：2N6756
  仓库库存编号：2N6756-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 208W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT10T60L
  仓库库存编号：785-1635-5-ND
  别名：785-1635-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF10T60
  仓库库存编号：785-1637-5-ND
  别名：785-1637-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS330DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS330DN-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 5W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR330DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR330DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR330DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 198W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M010A060H
  仓库库存编号：GP2M010A060H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 52W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M013A050F
  仓库库存编号：1560-1212-5-ND
  别名：1560-1212-1
  1560-1212-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 19A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4202L
  仓库库存编号：AO4202L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 10A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF10N50FD_001
  仓库库存编号：AOTF10N50FD_001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF10T60L
  仓库库存编号：AOTF10T60L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 19A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4202_120
  仓库库存编号：AO4202_120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 208W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW10T60
  仓库库存编号：AOW10T60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 28W（Tc） TO-262F
  
  型号：AOWF10T60
  仓库库存编号：AOWF10T60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 3.7A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL4105TR
  仓库库存编号：IRFL4105CT-ND
  别名：*IRFL4105TR
  IRFL4105CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.3A（Tc） 82W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF630NS
  仓库库存编号：IRF630NS-ND
  别名：*IRF630NS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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