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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.9A（Ta），50A（Tc） 115W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD13AN06A0_F085
  仓库库存编号：FDD13AN06A0_F085CT-ND
  别名：FDD13AN06A0_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 27A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS3606S
  仓库库存编号：FDMS3606SCT-ND
  别名：FDMS3606SCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8-PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 18A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS3668S
  仓库库存编号：FDMS3668SCT-ND
  别名：FDMS3668SCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 27A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS3606AS
  仓库库存编号：FDMS3606ASCT-ND
  别名：FDMS3606ASCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 23A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS3604AS
  仓库库存编号：FDMS3604ASFSCT-ND
  别名：FDMS3604ASFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 650V 11A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD11NM65N
  仓库库存编号：497-13352-1-ND
  别名：497-13352-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 83.3W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP9N60N
  仓库库存编号：FCP9N60N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB24N60DM2
  仓库库存编号：497-15423-1-ND
  别名：497-15423-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 16A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB24N65M2
  仓库库存编号：497-15304-1-ND
  别名：497-15304-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB13N80K5
  仓库库存编号：497-13860-1-ND
  别名：497-13860-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.195 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 125W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL24N60DM2
  仓库库存编号：497-16940-1-ND
  别名：497-16940-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB24N60M2
  仓库库存编号：497-13575-1-ND
  别名：497-13575-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 74A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC072N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC072N08NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC072N08NS5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-10
  
  型号：IPG20N06S415AATMA1
  仓库库存编号：IPG20N06S415AATMA1CT-ND
  别名：IPG20N06S415AATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Ta），54A（Tc） 55W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP8880
  仓库库存编号：FDP8880FS-ND
  别名：FDP8880-ND
  FDP8880FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP25N60M2-EP
  仓库库存编号：497-15892-5-ND
  别名：497-15892-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.8A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.8A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF04N60ZG
  仓库库存编号：NDF04N60ZGOS-ND
  别名：NDF04N60ZG-ND
  NDF04N60ZGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF25N60M2-EP
  仓库库存编号：497-15886-5-ND
  别名：497-15886-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STFU24N60M2
  仓库库存编号：497-16110-5-ND
  别名：497-16110-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.168 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STFH24N60M2
  仓库库存编号：497-16596-5-ND
  别名：497-16596-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 4.3A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9630GPBF
  仓库库存编号：IRFI9630GPBF-ND
  别名：*IRFI9630GPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8-MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.3A（Ta），16A（Tc） 2.3W（Ta），29W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC7692
  仓库库存编号：FDMC7692CT-ND
  别名：FDMC7692CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），46A（Tc） 3.1W（Ta），71W（Tc） DPAK
  
  型号：SVD5865NLT4G
  仓库库存编号：SVD5865NLT4GOSCT-ND
  别名：NVD5865NLT4GOSCT
  NVD5865NLT4GOSCT-ND
  SVD5865NLT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A 8-PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 25A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS3664S
  仓库库存编号：FDMS3664SCT-ND
  别名：FDMS3664SCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Ta） 60W（Ta） TO-252
  
  型号：FDD6680AS
  仓库库存编号：FDD6680ASFSCT-ND
  别名：FDD6680ASFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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