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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA421DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA421DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA421DJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），54A（Tc） 55W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8880
  仓库库存编号：FDB8880CT-ND
  别名：FDB8880CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.9A（Ta），62A（Tc） 115W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB13AN06A0
  仓库库存编号：FDB13AN06A0CT-ND
  别名：FDB13AN06A0CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 28.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF850N80Z
  仓库库存编号：FCPF850N80Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 75W（Tc） DPAK
  
  型号：FCD850N80Z
  仓库库存编号：FCD850N80ZCT-ND
  别名：FCD850N80ZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 16A MLPD8X8 4L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 125W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL25N60M2-EP
  仓库库存编号：497-16249-1-ND
  别名：497-16249-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.5A（Tc） 3W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9630STRLPBF
  仓库库存编号：IRF9630STRLPBFCT-ND
  别名：IRF9630STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 8A
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 136W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP850N80Z
  仓库库存编号：FCP850N80Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP16N50P3
  仓库库存编号：IXFP16N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 100W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS4020TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS4020TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS4020TRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB600N25N3 G
  仓库库存编号：IPB600N25N3 GCT-ND
  别名：IPB600N25N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 125W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL24N60M2
  仓库库存编号：497-14214-1-ND
  别名：497-14214-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Tc） 83W（Tc） DPAK
  
  型号：NDD04N60ZT4G
  仓库库存编号：NDD04N60ZT4GOSCT-ND
  别名：NDD04N60ZT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS890DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS890DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS890DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：STP24N60DM2
  仓库库存编号：497-14571-5-ND
  别名：497-14571-5
  STP24N60DM2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 83W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD04N60Z-1G
  仓库库存编号：NDD04N60Z-1GOS-ND
  别名：NDD04N60Z-1G-ND
  NDD04N60Z-1GOS
  NDD04N60Z1G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  POWER TRANSISTORS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 111W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL140N4F7AG
  仓库库存编号：497-16679-1-ND
  别名：497-16679-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 73.5W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM170N06PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM170N06PQ56 RLGTR-ND
  别名：TSM170N06PQ56 RLGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 73.5W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM170N06PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM170N06PQ56 RLGCT-ND
  别名：TSM170N06PQ56 RLGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 73.5W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM170N06PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM170N06PQ56 RLGDKR-ND
  别名：TSM170N06PQ56 RLGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 111W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL160N4F7
  仓库库存编号：STL160N4F7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF11NM65N
  仓库库存编号：STF11NM65N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 650V 14A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 125W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL24N65M2
  仓库库存编号：STL24N65M2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 12A I2PAK-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 35W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI13N80K5
  仓库库存编号：497-15374-5-ND
  别名：497-15374-5
  STFI13N80K5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-247
  
  型号：STW25N60M2-EP
  仓库库存编号：STW25N60M2-EP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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