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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 42A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB43N65M5
  仓库库存编号：497-16299-1-ND
  别名：497-16299-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB42N65M5
  仓库库存编号：497-8769-1-ND
  别名：497-8769-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8.8A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4425BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4425BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4425BDY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 121W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R3-30YL,115
  仓库库存编号：1727-4276-1-ND
  别名：1727-4276-1
  568-4908-1
  568-4908-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7460DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7460DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7460DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7148DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7148DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7148DP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 100A 8QFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 830mW（Ta），104.2W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS037N08B
  仓库库存编号：FDMS037N08BCT-ND
  别名：FDMS037N08BCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 60A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 3.75W（Ta），150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM60N10-17-E3
  仓库库存编号：SUM60N10-17-E3CT-ND
  别名：SUM60N10-17-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 333W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB075N15A
  仓库库存编号：FDB075N15ACT-ND
  别名：FDB075N15ACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 69A（Tc） 480W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA69N25
  仓库库存编号：FDA69N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 74A（Tc） 83W（Tc）
  
  型号：SQJ422EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ422EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ422EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3710ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR3710ZTRPBFCT-ND
  别名：IRFR3710ZTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 59A（Tc） 500W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA59N30
  仓库库存编号：FDA59N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 3W（Ta），6.25W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4842BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4842BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4842BDY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 53.5A（Tc） 391W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R070P6XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R070P6XKSA1-ND
  别名：SP001114660
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP185N55F3
  仓库库存编号：497-7513-5-ND
  别名：497-7513-5
  STP185N55F3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 33A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 190W（Tc） TO-220-3
  
  型号：STP42N65M5
  仓库库存编号：497-8791-5-ND
  别名：497-8791-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Ta） 2W（Ta），178W（Tj） D2PAK
  
  型号：NTB35N15T4G
  仓库库存编号：NTB35N15T4GOSCT-ND
  别名：NTB35N15T4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 237W（Tc） TO-220
  
  型号：STP220N6F7
  仓库库存编号：497-16120-5-ND
  别名：497-16120-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 330W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB180N55F3
  仓库库存编号：497-7939-1-ND
  别名：497-7939-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 300W（Tc） 10-PowerSO
  
  型号：STV200N55F3
  仓库库存编号：497-7028-1-ND
  别名：497-7028-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 33A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF42N65M5
  仓库库存编号：497-8895-5-ND
  别名：497-8895-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.4A（Ta），101A（Tc） 2.5W（Ta），93.75W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD5802NT4G
  仓库库存编号：NTD5802NT4GOSCT-ND
  别名：NTD5802NT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7460DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7460DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7460DP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 18A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4260
  仓库库存编号：785-1463-1-ND
  别名：785-1463-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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