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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 30A（Ta） 2W（Ta），214W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB30N20
  仓库库存编号：NTB30N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 37A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 37A（Ta） 2W（Ta），178W（Tj） TO-220AB
  
  型号：NTP35N15G
  仓库库存编号：NTP35N15G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FDM100-0045SP
  仓库库存编号：FDM100-0045SP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 20A（Ta） 100W（Tc） TO-220SM
  
  型号：2SK2993(TE24L,Q)
  仓库库存编号：2SK2993(TE24L,Q)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 28A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8662
  仓库库存编号：FDMS8662CT-ND
  别名：FDMS8662CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 280V 62A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 280V 62A（Tc） 500W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA62N28
  仓库库存编号：FDA62N28-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 34A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 34A（Tc） 115W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FDAF69N25
  仓库库存编号：FDAF69N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 30A（Ta） 2W（Ta），214W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB30N20T4G
  仓库库存编号：NTB30N20T4GOSCT-ND
  别名：NTB30N20T4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4170DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4170DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4170DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 250V 20A SC-97
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 20A（Ta） 125W（Tc） TFP（9.2x10.7）
  
  型号：2SK3388(TE24L,Q)
  仓库库存编号：2SK3388(TE24L,Q)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 118A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM120-0075P3-SMD
  仓库库存编号：GWM120-0075P3-SMD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 100A ISOPLUS-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 150W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXUC100N055
  仓库库存编号：IXUC100N055-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 72A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 77A（Tc） 217W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP6411ANG
  仓库库存编号：NTP6411ANGOS-ND
  别名：NTP6411ANG-ND
  NTP6411ANGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 77A（Tc） 217W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB6411ANT4G
  仓库库存编号：NTB6411ANT4GOSCT-ND
  别名：NTB6411ANT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 167W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB6412ANT4G
  仓库库存编号：NTB6412ANT4GOSCT-ND
  别名：NTB6412ANT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 28.6A（Tc） 2.5W（Ta），5.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4654DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4654DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4654DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH1330AL,115
  仓库库存编号：PH1330AL,115-ND
  别名：934064142115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 28.6A（Tc） 2.5W（Ta），5.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4654DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4654DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 75A（Tc） 3.12W（Ta），312.5W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM75N15-18P-E3
  仓库库存编号：SUM75N15-18P-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 90A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 90A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP90N15-18P-E3
  仓库库存编号：SUP90N15-18P-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 50A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 50A（Tc） 1.8W（Ta），90W（Tc） TO-263
  
  型号：NP50P04KDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP50P04KDG-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 28A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28A（Ta），85A（Tc） 2.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6210
  仓库库存编号：785-1401-1-ND
  别名：785-1401-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 8A（Ta），130A（Tc） 2.1W（Ta），500W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT1100L
  仓库库存编号：785-1408-5-ND
  别名：785-1408-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 130A（Tc） 333W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP075N15A
  仓库库存编号：FDP075N15A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 110A（Tc） 3.7W（Ta），158W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM110N05-06L-E3
  仓库库存编号：SUM110N05-06L-E3CT-ND
  别名：SUM110N05-06L-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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