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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 110A(Tc) 1.8W(Ta),288W(Tc) TO-263
型号:
NP110N055PUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP110N055PUG-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 380nC @ 10V,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 180A(Tc) 480W(Tc) SOT-227
型号:
VS-FB180SA10P
仓库库存编号:
VS-FB180SA10P-ND
别名:VSFB180SA10P
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 380nC @ 10V,
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