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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4434DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4434DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4434DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 80V 100A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 217W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD19501KCS
  仓库库存编号：296-37286-5-ND
  别名：296-37286-5
  CSD19501KCS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 10.5A（Tc） 32W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA12N50E-E3
  仓库库存编号：SIHA12N50E-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 17A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP21N65M5
  仓库库存编号：497-10077-5-ND
  别名：497-10077-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 17A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF21N65M5
  仓库库存编号：497-11393-5-ND
  别名：497-11393-5
  STF21N65M5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 21A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW28NM50N
  仓库库存编号：497-10718-5-ND
  别名：497-10718-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7452TRPBF
  仓库库存编号：IRF7452PBFCT-ND
  别名：*IRF7452TRPBF
  IRF7452PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Ta） 2W（Ta），4.2W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3417DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3417DV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3417DV-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 124A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM036N03PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM036N03PQ56 RLGTR-ND
  别名：TSM036N03PQ56 RLGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 124A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM036N03PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM036N03PQ56 RLGCT-ND
  别名：TSM036N03PQ56 RLGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 124A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM036N03PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM036N03PQ56 RLGDKR-ND
  别名：TSM036N03PQ56 RLGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 14.9A（Tc） 6.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：PMK30EP,518
  仓库库存编号：1727-7203-1-ND
  别名：1727-7203-1
  568-9694-1
  568-9694-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 88A（Tc） 90W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH3R003PL,LQ
  仓库库存编号：TPH3R003PLLQCT-ND
  别名：TPH3R003PLLQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 500V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Tc） 114W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：SIHD12N50E-GE3
  仓库库存编号：SIHD12N50E-GE3-ND
  别名：SIHD12N50E-GE3CT
  SIHD12N50E-GE3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 10A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 89W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIHJ10N60E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHJ10N60E-T1-GE3-ND
  别名：SIHJ10N60E-T1-GE3CT
  SIHJ10N60E-T1-GE3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 17A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI21N65M5
  仓库库存编号：497-11328-5-ND
  别名：497-11328-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 21A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF28NM50N
  仓库库存编号：497-12574-5-ND
  别名：497-12574-5
  STF28NM50N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V D-S PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 3.5W（Ta），27.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7121ADN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7121ADN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7121ADN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB28N30TM
  仓库库存编号：FDB28N30TMCT-ND
  别名：FDB28N30TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 14A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），45A（Tc） 2.7W（Ta），125W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86152
  仓库库存编号：FDMS86152CT-ND
  别名：FDMS86152CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB21N65M5
  仓库库存编号：497-10562-1-ND
  别名：497-10562-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 17A POWERFLAT88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL21N65M5
  仓库库存编号：497-10961-1-ND
  别名：497-10961-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-4
  
  型号：IPG20N04S4L07ATMA1
  仓库库存编号：IPG20N04S4L07ATMA1CT-ND
  别名：IPG20N04S4L07ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 33V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP75NS04Z
  仓库库存编号：497-5981-5-ND
  别名：497-5981-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 13.2A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 13.2A（Tc） 45W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF22P10
  仓库库存编号：FQPF22P10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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