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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH18N60P
  仓库库存编号：IXFH18N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET 2N-CH 500V 13A I4-PAC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 13A 132W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMM22-05PF
  仓库库存编号：FMM22-05PF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 20A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ076N06NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ076N06NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSZ076N06NS3GINCT
  BSZ076N06NS3GINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-10
  
  型号：IPG20N04S4L07AATMA1
  仓库库存编号：IPG20N04S4L07AATMA1-ND
  别名：SP001061264
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 32A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 32A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ013NE2LS5IATMA1
  仓库库存编号：BSZ013NE2LS5IATMA1-ND
  别名：SP001288148
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 22A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 22A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD22NM20NT4
  仓库库存编号：497-4653-1-ND
  别名：497-4653-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 20A PWRFLAT6X5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 20A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（6x5）
  
  型号：STL20NM20N
  仓库库存编号：497-4657-1-ND
  别名：497-4657-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220FH
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 4A（Tc） 40W（Tc） TO-220
  
  型号：STFV4N150
  仓库库存编号：497-5093-5-ND
  别名：497-5093-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 23A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 23A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
  
  型号：MTP23P06V
  仓库库存编号：MTP23P06VOS-ND
  别名：MTP23P06VOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 32A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 32A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
  
  型号：MTP36N06V
  仓库库存编号：MTP36N06VOS-ND
  别名：MTP36N06VOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 23A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 23A（Ta） 3W（Ta），90W（Tc） D2PAK
  
  型号：MTB23P06VT4
  仓库库存编号：MTB23P06VT4OS-ND
  别名：MTB23P06VT4OS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 12A（Tc） 75W（Tc） TO-220AB
  
  型号：MTP12P10G
  仓库库存编号：MTP12P10GOS-ND
  别名：MTP12P10GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 23A TO220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 23A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
  
  型号：MTP23P06VG
  仓库库存编号：MTP23P06VGOS-ND
  别名：MTP23P06VGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：NDS9430A
  仓库库存编号：NDS9430A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 25A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 25A（Tc） 41W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF44N08
  仓库库存编号：FQPF44N08-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 25A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 25A（Tc） 41W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF44N08T
  仓库库存编号：FQPF44N08T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 44A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 44A（Tc） 127W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP44N08
  仓库库存编号：FQP44N08-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 22A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 22A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP22P10
  仓库库存编号：FQP22P10-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 16.6A TO-3PF
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 16.6A（Tc） 70W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF22P10
  仓库库存编号：FQAF22P10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 24A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 24A（Tc） 150W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA22P10
  仓库库存编号：FQA22P10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 35.6A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 35.6A（Tc） 83W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF44N08
  仓库库存编号：FQAF44N08-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 49.8A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 49.8A（Tc） 163W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA44N08
  仓库库存编号：FQA44N08-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 22A（Tc） 350W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV22N50P
  仓库库存编号：IXTV22N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 22A（Tc） 350W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXTV22N50PS
  仓库库存编号：IXTV22N50PS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 22A（Tc） 350W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV22N50P
  仓库库存编号：IXFV22N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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