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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 22A（Tc） 350W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXFV22N50PS
  仓库库存编号：IXFV22N50PS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 18A（Tc） 360W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV18N60P
  仓库库存编号：IXFV18N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 18A（Tc） 360W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXFV18N60PS
  仓库库存编号：IXFV18N60PS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 27.5A（Ta） 120W（Tj） D2PAK
  
  型号：NTB25P06
  仓库库存编号：NTB25P06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4480DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4480DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4480DY-T1-E3CT
  SI4480DYT1E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 25V 55A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 55A（Tc） 2.5W（Ta），60W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD472
  仓库库存编号：785-1111-1-ND
  别名：785-1111-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 25V 85A 8ULTRASO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 21A（Ta），85A（Tc） 2.3W（Ta），75W（Tc） UltraSO-8?
  
  型号：AOL1440
  仓库库存编号：785-1127-1-ND
  别名：785-1127-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 450V 17A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 17A（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF17N45T
  仓库库存编号：FDPF17N45T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8036-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8036-H(TE12L,Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 35A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR838DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR838DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR838DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4542DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4542DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 40A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR406DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR406DP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 9A, 5.7A 1.5W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：NTMD5836NLR2G
  仓库库存编号：NTMD5836NLR2GOSCT-ND
  别名：NTMD5836NLR2GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 9.2A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS5835NLR2G
  仓库库存编号：NTMS5835NLR2GOSCT-ND
  别名：NTMS5835NLR2GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4498E
  仓库库存编号：785-1553-1-ND
  别名：785-1553-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4588
  仓库库存编号：785-1554-1-ND
  别名：785-1554-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4542DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4542DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4542DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 12A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB12T60PL
  仓库库存编号：785-1700-1-ND
  别名：785-1700-1
  
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 1.5W（Ta），84W（Tc） TO-220AB
  
  型号：2SK3430-AZ
  仓库库存编号：2SK3430-AZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 1.5W（Ta），84W（Tc） TO-220AB
  
  型号：2SK3430-Z-E1-AZ
  仓库库存编号：2SK3430-Z-E1-AZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4498EL
  仓库库存编号：AO4498EL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） 8-DFN-EP（3x3）
  
  型号：AON7422E_101
  仓库库存编号：AON7422E_101-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：AOTF11C60P_001
  仓库库存编号：AOTF11C60P_001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：AOTF12T60
  仓库库存编号：AOTF12T60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 35W（Tc） TO-220F
  
  型号：AOTF12T60L
  仓库库存编号：AOTF12T60L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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