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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 12A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 28W（Tc） TO-262F
  
  型号：AOWF12T60
  仓库库存编号：AOWF12T60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM052N06PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM052N06PQ56 RLGTR-ND
  别名：TSM052N06PQ56 RLGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM052N06PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM052N06PQ56 RLGCT-ND
  别名：TSM052N06PQ56 RLGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM052N06PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM052N06PQ56 RLGDKR-ND
  别名：TSM052N06PQ56 RLGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.6A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRLL3303TR
  仓库库存编号：IRLL3303CT-ND
  别名：*IRLL3303TR
  IRLL3303CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS17N20D
  仓库库存编号：IRFS17N20D-ND
  别名：*IRFS17N20D
  SP001557226
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7452
  仓库库存编号：IRF7452-ND
  别名：*IRF7452
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB17N20D
  仓库库存编号：IRFB17N20D-ND
  别名：*IRFB17N20D
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL17N20D
  仓库库存编号：IRFSL17N20D-ND
  别名：*IRFSL17N20D
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7452TR
  仓库库存编号：IRF7452TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS17N20DTRL
  仓库库存编号：IRFS17N20DTRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS17N20DTRR
  仓库库存编号：IRFS17N20DTRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 15A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 15A（Tc） 128W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP15P10P
  仓库库存编号：SPP15P10PIN-ND
  别名：SP000014331
  SPP15P10PIN
  SPP15P10PX
  SPP15P10PXTIN
  SPP15P10PXTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 12A（Ta），68A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MN
  
  型号：IRF6646TR1
  仓库库存编号：IRF6646TR1CT-ND
  别名：IRF6646TR1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS17N20DPBF
  仓库库存编号：IRFS17N20DPBF-ND
  别名：*IRFS17N20DPBF
  SP001567586
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL17N20DPBF
  仓库库存编号：IRFSL17N20DPBF-ND
  别名：*IRFSL17N20DPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 86A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MN
  
  型号：IRF6648TR1
  仓库库存编号：IRF6648CT-ND
  别名：IRF6648CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V SOT96-1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI9410DY,518
  仓库库存编号：SI9410DY,518-ND
  别名：934056383518
  SI9410DY /T3
  SI9410DY /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 12A（Ta），68A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MN
  
  型号：IRF6646TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6646TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6646TR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 86A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MN
  
  型号：IRF6648TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6648TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6648TR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS17N20DTRRP
  仓库库存编号：IRFS17N20DTRRP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7452QTRPBF
  仓库库存编号：IRF7452QTRPBFCT-ND
  别名：IRF7452QTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS17N20DTRLP
  仓库库存编号：IRFS17N20DTRLP-ND
  别名：SP001578336
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 10A（Ta），56A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5015TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5015TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5015TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 18A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 18A（Ta），105A（Tc） 3.8W（Ta），132W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7188TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7188TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7188TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 50nC @ 10V,
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