产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 60W(Tc) TO-252AA
型号:
RFD16N05LSM9A
仓库库存编号:
RFD16N05LSM9ACT-ND
别名:RFD16N05LSM9ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),80A(Tc) 245W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB050AN06A0
仓库库存编号:
FDB050AN06A0CT-ND
别名:FDB050AN06A0CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.4A(Ta),68A(Tc) 1.04W(Ta),75W(Tc) DPAK
型号:
NTD4302T4G
仓库库存编号:
NTD4302T4GOSCT-ND
别名:NTD4302T4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 80A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Ta),80A(Tc) 2.3W(Ta),54W(Tc) Power33
型号:
FDMC8360L
仓库库存编号:
FDMC8360LCT-ND
别名:FDMC8360LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 34A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Ta) 3.3W(Ta),89W(Tc) Dual Cool?56
型号:
FDMS3006SDC
仓库库存编号:
FDMS3006SDCCT-ND
别名:FDMS3006SDCCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 80V 16A POWER 5X6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 16A (Ta), 82A (Tc) 2.3W Surface Mount 8-Power 5x6
型号:
FDMD8580
仓库库存编号:
FDMD8580CT-ND
别名:FDMD8580CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 7A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 120W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF11N90C
仓库库存编号:
FQAF11N90CFS-ND
别名:FQAF11N90C-ND
FQAF11N90CFS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3
详细描述:通孔 P 沟道 28A(Ta) 2W(Ta),30W(Tc) TO-220F-3SG
型号:
2SJ652-1E
仓库库存编号:
2SJ652-1EOS-ND
别名:2SJ652-1E-ND
2SJ652-1EOS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Ta),80A(Tc) 245W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP050AN06A0
仓库库存编号:
FDP050AN06A0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-2PF-3
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Ta) 3W(Ta),65W(Tc) TO-3PF-3
型号:
2SK3748-1E
仓库库存编号:
2SK3748-1EOS-ND
别名:2SK3748-1E-ND
2SK3748-1EOS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Ta) 3.8W(Ta),83W(Tc) TO-252
型号:
FDD3670
仓库库存编号:
FDD3670CT-ND
别名:FDD3670CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
FQA11N90C_F109
仓库库存编号:
FQA11N90C_F109-ND
别名:FQA11N90CF109
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 51A(Tc) 47W(Tc) DPAK
型号:
NVD5805NT4G-VF01
仓库库存编号:
NVD5805NT4G-VF01-ND
别名:NVD5117PLT4G-VF01
NVD5805NT4G
NVD5805NT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PT8 N-CH 40/20V POWER TRENCH MOS
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 27A(Ta),141A(Tc) 2.8W(Ta),75W(Tc) Power33
型号:
FDMC8360LET40
仓库库存编号:
FDMC8360LET40-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 38A
详细描述:通孔 P 沟道 38A(Ta) 1.65W(Ta),65W(Tc) TO-262-3
型号:
2SJ661-1E
仓库库存编号:
2SJ661-1E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 38A
详细描述:表面贴装 P 沟道 38A(Ta) 1.65W(Ta),65W(Tc) TO-263-2
型号:
2SJ661-DL-1E
仓库库存编号:
2SJ661-DL-1E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 16A(Tc) 60W(Tc) TO-252AA
型号:
RFD16N05LSM
仓库库存编号:
RFD16N05LSM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.4A(Ta),68A(Tc) 1.04W(Ta),75W(Tc) DPAK
型号:
NTD4302T4
仓库库存编号:
NTD4302T4OS-ND
别名:NTD4302T4OS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 30A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
MTB30P06VT4
仓库库存编号:
MTB30P06VT4OS-ND
别名:MTB30P06VT4OS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
型号:
FDS7088SN3
仓库库存编号:
FDS7088SN3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 11A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
FQA11N90C
仓库库存编号:
FQA11N90C-ND
别名:Q2658628A
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 21.7A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 250V 21.7A(Tc) 100W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF34N25
仓库库存编号:
FQAF34N25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 34A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 250V 34A(Tc) 245W(Tc) TO-3P
型号:
FQA34N25
仓库库存编号:
FQA34N25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 11A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
FQA11N90C
仓库库存编号:
FQA11N90CFS-ND
别名:FQA11N90CFS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.4A(Ta),68A(Tc) 1.04W(Ta),75W(Tc) DPAK
型号:
NTD4302
仓库库存编号:
NTD4302-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
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