产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(18)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
(1)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(17)
筛选品牌
Vishay Siliconix (18)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR870ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR870ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR870ADP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3.1A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBG30PBF
仓库库存编号:
IRFBG30PBF-ND
别名:*IRFBG30PBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.1W(Ta),2.7W(Tc) 4-Microfoot
型号:
SI8487DB-T1-E1
仓库库存编号:
SI8487DB-T1-E1CT-ND
别名:SI8487DB-T1-E1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ444EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ444EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ444EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7994DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7994DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7994DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 3.1A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPG30PBF
仓库库存编号:
IRFPG30PBF-ND
别名:*IRFPG30PBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 19.7A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SO
型号:
SI4425DDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4425DDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4425DDY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA02EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA02EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA02EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR870ADP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIR870ADP-T1-RE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 9.5A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 9.5A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP344
仓库库存编号:
IRFP344-ND
别名:*IRFP344
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 3.1A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPG30
仓库库存编号:
IRFPG30-ND
别名:*IRFPG30
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 3.1A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBG30
仓库库存编号:
IRFBG30-ND
别名:*IRFBG30
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 8.8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 450V 8.8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF744
仓库库存编号:
IRF744-ND
别名:*IRF744
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 450V 4.9A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI744G
仓库库存编号:
IRFI744G-ND
别名:*IRFI744G
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 8.8A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 450V 8.8A(Tc) I2PAK
型号:
IRF744L
仓库库存编号:
IRF744L-ND
别名:*IRF744L
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 9.5A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 450V 9.5A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP344PBF
仓库库存编号:
IRFP344PBF-ND
别名:*IRFP344PBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 8.8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 450V 8.8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF744PBF
仓库库存编号:
IRF744PBF-ND
别名:*IRF744PBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 450V 4.9A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI744GPBF
仓库库存编号:
IRFI744GPBF-ND
别名:*IRFI744GPBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号